[发明专利]白光顶发光型有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于，按照从下往上的顺序依次蒸镀：衬底（1）、反射阳极（2）、空穴注入层（3）、空穴传输层（4）、双蓝光发光层（5）、红光发光层（6）、电子传输层（7）、电子注入层（8）、半透明阴极（9）和光耦合输出层（10）。

2.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述衬底（1）为玻璃基片、硅片或柔性衬底，所述反射阳极（2）为金、银或铜薄膜，薄膜厚度为80-100nm。

3.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述空穴注入层（3）按照由下而上的顺序由MoOx层和m-MTDATA层构成，其中MoOx层的厚度为2-3 nm，m-MTDATA层的厚度为15-25 nm，所述空穴传输层（4）是NPB层，厚度为10-15 nm；或者，所述空穴注入层（3）采用MoOx结合p型杂质F₄-TCNQ掺杂的空穴传输材料MEO-TPD形成p型掺杂层，所述p型掺杂层的厚度为20-30 nm，F₄-TCNQ相对于MEO-TPD的掺杂质量百分比为3%，所述空穴传输层（4）采用MEO-TPD层，厚度为10-15 nm。

4.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述双蓝光发光层（5）按照从下而上的顺序由空穴型蓝光层和电子型蓝光层组成异质结结构，所述空穴型蓝光层采用空穴型主体材料TCTA掺杂蓝光客体材料形成，厚度为15 nm，所述电子型蓝光层采用电子型主体材料SPPO1掺杂蓝光客体材料形成，厚度为4-10 nm，所述蓝光客体材料为磷光蓝光材料FIrpic，所述FIrpic相对于空穴型主体材料TCTA和电子型主体材料SPPO1的掺杂质量百分比均为7 %。

5.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述红光发光层（6）由电子型主体材料SPPO1掺杂红光客体材料形成，厚度为5-10 nm，所述红光客体材料为磷光红光材料Ir(MDQ)₂(acac)，所述Ir(MDQ)₂(acac)相对于电子型主体材料SPPO1的掺杂质量百分比为4-7 %。

6.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述电子传输层（7）是BPhen层，厚度为10 nm，所述电子注入层（8）由电子传输材料BPhen中掺入电子型杂质Li构成，所述Li相对于电子传输材料BPhen的掺杂质量百分比为2-3%，厚度为20 nm，所述半透明阴极（9）按照从下而上的顺序由厚度为4 nm的Sm层和厚度为12 nm的Ag层构成。

7.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述光耦合输出层（10）的材料是m-MTDATA，厚度为40-60 nm；或者，所述光耦合输出层（10）的材料为 ZnS，厚度为20-30 nm。

8.权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将衬底（1）依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗8-12分钟，经氮气吹干后置于烘箱中80-120℃，25-35分钟烘干；

2）将衬底（1）放入真空蒸镀室，待真空度达到4×10^-4-6×10^-4Pa时，逐层蒸镀制备反射阳极（2）、空穴注入层（3）、空穴传输层（4）、双蓝光发光层（5）、红光发光层（6）、电子传输层（7）、电子注入层（8）、半透明阴极（9）和光耦合输出层（10）；

3）蒸镀反射阳极（2）的沉积速率为0.1 nm/S，蒸镀半透明阴极（9）的沉积速率为0.05 nm/S，蒸镀单一成分有机层的沉积速率为0.1 nm/S；

4）在制备空穴注入层（3）的p型掺杂层、双蓝光发光层（5）、红光发光层（6）和电子注入层（8）时，主体材料和客体材料在各自的蒸发源中同时蒸镀，蒸镀完成后，在4×10^-4-6×10^-4Pa的条件下冷却2小时至25℃后，进行器件参数的测量。

9.根据权利要求8所述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤2）的真空度为5×10^-4Pa。

10.根据权利要求8所述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤4）在蒸镀时，主体材料的沉积速率均为0.1 nm/S，各客体材料的沉积速率分别是F₄-TCNQ 0.003 nm/S，FIrpic 0.007 nm/S，Ir(MDQ)₂(acac) 0.004 nm/S和Li 0.009 nm/S。