[发明专利]高分子与导电组合物

说明书

技术领域

本发明涉及导电高分子，更特别涉及其所含的网状交联物的结构。

背景技术

铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)在软性基材上重复触碰敲击将产生老化，甚至因弯曲而造成微观裂缝，因应未来多点软性触控技术，在打点寿命及耐弯曲程度不断提高的发展趋势下，有必要开发软性透明导电膜以取代脆性ITO。导电高分子聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)则是替代ITO材料选项之一。目前导电高分子以Heraeus公司为领导厂商，所开发的导电高分子其薄膜面电阻可达成100Ω/sq，透光度为90％。然而在耐化性方面，仍有很大的改善空间。目前改善PEDOT:PSS薄膜的耐化性的方法为添加粘结剂如聚氨酯(PU)或三聚氰胺。然而少量添加粘结剂无法有效增加导电薄膜的耐化性，但大量添加粘结剂又会降低导电薄膜的导电度。

综上所述，目前亟需新的添加剂改善PEDOT:PSS的耐化性，且不会降低其导电度。

发明内容

本发明一实施例提供的高分子，其结构如下：

其中x的摩尔百分比范围介于10％～90％，n的摩尔百分比范围介于10％～90％之间；且m+n＝100％；R¹为-H、-CH₃、-CH₂CH₃、-OCH₃、-O(CH₂)_nCH₃，n＝1～12、-NH₂、-N(CH₃)₂、-N(CH₂)_nCH₃，其中n＝1～12、-Br、-Cl、-OH、-SO₃Na、-SO₃H、或-SO₂Cl；R²为-H、-COOH、-COOCH₃、-COO(CH₂)_nCH₃，其中n＝1～12、-SO₃Na、-SO₃H、-SO₂Cl、-OH、-CONH₂、-CON(CH3)₂、-CON(CH₂)_n(CH₃)₂，其中n＝1～12、-Br、或-Cl；以及R³为-SO₃Na、-SO₃H、-PO₃H、-SO₂Cl、-OH、-H、-COOH、-COOCH₃、-COO(CH₂)_nCH₃，n＝1～12、-CONH₂、-CON(CH3)₂、-CON(CH₂)_n(CH₃)₂，其中n＝1～12、-Br、或-Cl。

本发明一实施例提供的导电组合物(conductive composition)，包括网状交联物，由上述的高分子交联而成；以及聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)，其中网状交联物与聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸的重量比介于1:0.01至1:0.8之间。

本发明一实施例提供的导电组合物，包括网状交联物，由上述的高分子交联而成，以及聚3,4-乙撑二氧噻吩，其中网状交联物与聚3,4-乙撑二氧噻吩的重量比介于1:0.2至1:0.002之间。

附图说明

图1示出了本发明一实施例中，导电薄膜的膜片电阻-粘结剂比例的折线图。

图2示出了本发明一实施例中，导电薄膜的膜片电阻-粘结剂比例的折线图。

图3示出了本发明一实施例中，导电薄膜的膜片电阻-交联剂比例的折线图。

具体实施方式

本发明一实施例的高分子，其结构如式1所示。