[发明专利]电荷泵系统及存储器有效

专利信息
申请号: 201410352917.8 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104091613B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 张圣波;胡剑;杨光军 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华,吴敏
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电荷 系统 存储器
【权利要求书】:

1.一种电荷泵系统,适于提供存储器的操作电压,其特征在于,包括第一电荷泵、第二电荷泵以及控制电路;

所述控制电路适于在所述存储器执行第一操作时控制所述第一电荷泵和所述第二电荷泵呈并联连接结构,在所述存储器执行第二操作时控制所述第一电荷泵和所述第二电荷泵呈串联连接结构。

2.如权利要求1所述的电荷泵系统,其特征在于,所述控制电路包括第一开关、第二开关、第三开关以及选择单元;

所述第一开关的第一端连接所述第一电荷泵的输出端和所述第二开关的第一端,所述第一开关的控制端适于接收第一控制信号,所述第一开关的第二端连接所述第三开关的第一端;

所述第二开关的控制端适于接收第二控制信号,所述第二开关的第二端连接所述选择单元的第一输入端;

所述第三开关的控制端适于接收第三控制信号,所述第三开关的第二端连接所述第二电荷泵的输出端;

所述选择单元的第二输入端适于输入所述存储器的电源电压,所述选择单元的输出端连接所述第二电荷泵的输入端。

3.如权利要求2所述的电荷泵系统,其特征在于,所述第一开关、所述第二开关以及所述第三开关均为PMOS晶体管,所述第一开关的第一端、所述第二开关的第一端以及所述第三开关的第一端为PMOS晶体管的源极,所述第一开关的第二端、所述第二开关的第二端以及所述第三开关的第二端为PMOS晶体管的漏极,所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端以及所述第三开关的控制端为PMOS晶体管的栅极。

4.如权利要求3所述的电荷泵系统,其特征在于,所述第一操作为读操作,所述第二操作为写操作或者擦除操作。

5.如权利要求4所述的电荷泵系统,其特征在于,还包括:适于产生所述第一控制信号、所述第二控制信号以及所述第三控制信号的控制信号产生单元,所述控制信号产生单元包括或非门电路、第一电平移位电路以及第二电平移位电路;

所述或非门电路的第一输入端适于接收写使能信号,所述或非门电路的第二输入端适于接收擦除使能信号,所述或非门电路的输出端连接所述第一电平移位电路的使能端和所述第二电平移位电路的使能端;

所述第一电平移位电路的输入端连接所述第一电荷泵的输出端,所述第一电平移位电路的第一输出端适于输出所述第二控制信号,所述第一电平移位电路的第二输出端适于输出所述第一控制信号;

所述第二电平移位电路的输入端连接所述第二电荷泵的输出端,所述第二电平移位电路的输出端适于输出所述第三控制信号;

在所述存储器执行第一操作时,所述第一控制信号的幅度和所述第三控制信号的幅度均为参考电位,所述第二控制信号的幅度等于所述第一电荷泵的输出端电压;

在所述存储器执行第二操作时,所述第一控制信号的幅度等于所述第一电荷泵的输出端电压,所述第二控制信号的幅度为所述参考电位,所述第三控制信号的幅度等于所述第二电荷泵的输出端电压。

6.如权利要求5所述的电荷泵系统,其特征在于,所述参考电位为地电位。

7.如权利要求1至6任一项所述的电荷泵系统,其特征在于,所述第一电荷泵和所述第二电荷泵为两相位电荷泵、四相位电荷泵或者电荷转移开关电荷泵。

8.一种存储器,包括多个呈阵列排布的存储单元,其特征在于,还包括权利要求1至7任一项所述的电荷泵系统,所述电荷泵系统适于提供所述存储器的操作电压。

9.如权利要求8所述的存储器,其特征在于,所述存储器为闪存。

10.如权利要求8所述的存储器,其特征在于,所述存储器为EEPROM。

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