[发明专利]T形E面支节

权利要求书

1.T形E面支节，包括耦合腔（1），端口A（2）、端口B（3）、端口C（4），其特征在于，还包括至少一个一级或两级或多级的匹配段(11)，该匹配段(11)的一端与耦合腔（1）相连，该匹配段(11)的另一端与端口A（2）或端口B（3）或端口C（4）相连；

对于与端口A（2）相连的匹配段(11)，存在一条位于水平面内并连接耦合腔（1）中某一点和端口A（2）上另一点的一条线段AX，该与端口A（2）相连的匹配段(11)和端口A（2）在垂直于线段AX的某一平面内的最大宽度沿从耦合腔（1）到端口A（2）的方向不变或单调变小；对于与端口B（3）相连的匹配段(11)，存在一条位于水平面内并连接耦合腔（1）中某一点和端口B（3）上另一点的一条线段BY，该与端口B（3）相连的匹配段(11) 和端口B（3）在垂直于线段BY的某一平面内的最大宽度沿从耦合腔（1）到端口B（3）的方向不变或单调变大；对于与端口C（4）相连的匹配段(11)，存在一条位于水平面内并连接耦合腔（1）中某一点和端口C（4）上另一点的一条线段CZ，该与端口C（4）相连的匹配段(11)和端口C（4）在垂直于线段CZ的某一平面内的最大宽度沿从耦合腔（1）到端口C（4）的方向不变或单调变大；所述端口A（2）、端口B（3）和端口C（4）的中心处的电场方向都在水平面内。

2.根据权利要求1所述的T形E面支节，其特征在于，该T形E面支节的端口A（2）的反射系数在大于30%的相对工作带宽内低于-15dB。

3.根据权利要求1所述的T形E面支节，其特征在于，所述T形E面支节内部由空气介质或其它介质填充；耦合腔（1）与所有匹配段(11)的总和结构为结构Q，结构Q 在三维空间中的最大尺寸小于在无限大的该填充介质中该T形E面支节中心工作频率对应的波长的2.5倍。

4.根据权利要求1中所述的T形E面支节，其特征在于，耦合腔（1）、端口A（2）、端口B（3）、端口C（4）和所有匹配段(11)的上表面都为同一个平面的一部分。

5.根据权利要求1所述的T形E面支节，其特征在于，与端口A（2）连接的匹配段(11)为镜像对称结构，该匹配段(11)的对称平面为对称平面X；该T形E面支节的所有部分，包括耦合腔（1）、端口A（2）、端口B（3）、端口C（4）和所有匹配段(11)相对于对称平面X构成镜像对称结构。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的T形E面支节，其特征在于，所述端口A（2）、端口B（3）、端口C（4）可以分别为矩形波导、圆波导、脊波导、基片集成波导或带线中的任意一种。

7.根据权利要求1-5中任意一项所述的T形E面支节，其特征在于，端口A（2）的法线方向与端口B（3）或/和端口C（4）的法线方向之间的夹角大于60度并小于120度。

8.根据权利要求1-5中任意一项所述的T形E面支节，其特征在于，端口A（2）的法线方向与端口B（3）或/和端口C（4）的法线方向之间的夹角大于150度并小于210度。