[发明专利]一种电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法

权利要求书

1.一种电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

（1）将硝酸镧、硝酸钙、硝酸锰和柠檬酸按La:Ca:Mn:C₆H₈O₇·H₂O的摩尔比为0.67:0.33:1+δ:4进行计算并称量，其中δ的取值为-0.025～0.025；

（2）将步骤（1）所备C₆H₈O₇·H₂O置于去离子水中，搅拌均匀得到混合溶液；

（3）向步骤（2）所得混合溶液中依次加入步骤（1）中所制备的硝酸镧、硝酸钙和硝酸锰原料，同时用磁力搅拌器搅拌均匀，得到混合物，然后在混合溶液中加入乙二醇做分散剂，其中，乙二醇的体积为混合溶液的体积的1%～10%；

（4）将步骤（3）所得混合物在80～120℃加热5～7h蒸发得到凝胶，再将凝胶放入90～140℃烘箱在常压空气中恒温干燥12～14h得干凝胶；

（5）将步骤（4）所得干凝胶手动研磨或机械球磨为粉末并在300～500℃的空气中常压煅烧8h得到                                               超巨磁阻纳米瓷粉末；

（6）将步骤（5）所得超巨磁阻纳米瓷粉末手动研磨或机械球磨、模压成片、终烧，得到多晶靶材。

2.根据权利要求1所述电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）所加入柠檬酸与去离子水的质量比值为1:10～1:50。

3.根据权利要求1所述述电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中箱式炉的烧结气氛为常压、空气。

4.根据权利要求1所述电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）当粉末煅烧温度T为300≤T≤400℃时，煅烧过程为以2～4℃/min的升温速率升至200℃，在200℃保温30min，再以2～4℃/min的升温速率升至300～400℃，在300～400℃保温8h，然后随炉冷却，得到粉末。

5.根据权利要求1所述电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于：步骤（5）当粉末煅烧温度为T为400＜T≤500℃时，煅烧过程为以2～4℃/min的升温速率升至200℃，在200℃保温30min，再以2～4℃/min的升温速率升至300～400℃，在300～400℃保温30min，再以2～4℃/min的升温速率升至400～500℃，在400～500℃保温8h，然后随炉冷却，得到粉末。

6.根据权利要求1所述电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中压片时所施加再磨具上的压力为10-14MPa。

7.根据权利要求1所述电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中靶材的箱式炉的烧结温度为1450℃，烧结时长为12h，烧结气氛为空气。

8.根据权利要求1所述电阻温度系数可控的多晶靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中烧结过程为2~4℃/min的升温速率升至1450℃，保温12h，再以2～4℃/min的降温速率降至700℃，然后随炉冷却，即得到高电阻温度系数的多晶陶瓷。