[发明专利]隔离式信号传递装置及隔离信号传送电路与其接收电路有效

专利信息
申请号: 201410353301.2 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN105281748B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 方证仁 申请(专利权)人: 巨控自动化股份有限公司
主分类号: H03K19/0944 分类号: H03K19/0944;H03K19/14
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 汤在彦
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 隔离 信号 传递 装置 传送 电路 与其 接收
【权利要求书】:

1.一种隔离式信号传递装置,其特征在于,该隔离式信号传递装置包含一隔离信号传送电路及一隔离信号接收电路,其中:

该隔离信号传送电路包含:

一模拟信号输入端;

一数字信号输入端;

一第一交叉回路端口;

一第二交叉回路端口;

一第一运算放大器,具有一正输入端、一负输入端及一输出端;其中该正输入端电连接接地、该负输入端电连接至该第一交叉回路端口且与该模拟信号输入端之间串接有一第一电阻,而该输出端电连接至该第二交叉回路端口;

一MOSFET,其栅极电连接至该数字信号输入端,其源极电连接至一输入负电源端且与该栅极之间串接有一第三电阻,而其漏极与该第一运算放大器的负输入端之间串接有一第四电阻;

一PNP电流镜电路,其包含:

一第一PNP晶体管,该第一PNP晶体管的发射极电连接至一输入正电源端,而该第一PNP晶体管的基极电连接至该第一PNP晶体管的集电极;

一第二PNP晶体管,该第二PNP晶体管的发射极电连接至该输入正电源端,该第二PNP晶体管的基极电连接至该第一PNP晶体管的基极,而该第二PNP晶体管的集电极电连接至该MOSFET的栅极;及

一第八电阻,电跨接于该第一PNP晶体管的集电极与该数字信号输入端之间;

该隔离信号接收电路包含:

一第三交叉回路端口,电连接至该隔离信号传送电路的第一交叉回路端口;

一第四交叉回路端口,电连接至该隔离信号传送电路的第二交叉回路端口;

一第一光耦合器,具有一第一输入正极、一第一输入负极、一第一输出正极及一第一输出负极;其中该第一输入正极电连接至该第三交叉回路端口,该第一输入负极电连接至该第四交叉回路端口,该第一输出正极与该模拟信号输出端之间串接有一第二电阻,而该第一输出负极电连接至一输出负电源端;

一第二光耦合器,具有一第二输入正极、一第二输入负极、一第二输出正极及一第二输出负极;其中该第二输入正极电连接至该第四交叉回路端口,该第二输入负极电连接至该第三交叉回路端口,该第二输出正极与一输出正电源端之间串接有一第五电阻,而该第二输出负极电连接接地;

一模拟信号输出端,与该第一光耦合器的第一输出正极之间串接有一第二电阻;及

一数字信号输出端,电连接至该第二光耦合器的第二输出正极。

2.根据权利要求1所述的隔离式信号传递装置,其特征在于,其中:

该隔离信号传送电路进一步包含一输入端加速启动电路,该输入端加速启动电路包含:

一第六电阻,电跨接于该输入正电源端及该第一运算放大器的负输入端之间;

该隔离信号接收电路进一步包含一输出端加速启动电路,该输出端加速启动电路包含:

一第二运算放大器,具有一正输入端、一负输入端及一输出端,该第二运算放大器的正输入端电连接接地,其负输入端电连接至该第一光耦合器的第一输出正极,而其输出端电连接至该模拟信号输出端;及

一第七电阻,电跨接于该第二运算放大器的负输入端及该输出正电源端之间。

3.根据权利要求1或2所述的隔离式信号传递装置,其特征在于,其中该隔离信号接收电路进一步包含一反转换电路,该反转换电路包含:

一第三运算放大器,具有一正输入端、一负输入端及一输出端;

一第三光耦合器,具有一第三输入正极、一第三输入负极、一第三输出正极及一第三输出负极,该第三输入正极通过该第二电阻电连接至该模拟信号输出端,该第三输入负极电连接至该第三运算放大器的输出端,而该第三输出负极电连接至该输出负电源端;

一第一转换电阻,其一端电连接接地,而其另一端直接与该第一光耦合器的第一输出正极电连接;

一第二转换电阻,其一端与该第一光耦合器的第一输出正极电连接,而其另一端电连接至该第三运算放大器的正输入端;

一第一反转换电阻,其一端电连接接地,而其另一端电连接至该第三光耦合器的第三输出正极;及

一第二反转换电阻,其一端电连接至该第三光耦合器的第三输出正极,而其另一端电连接至该第三运算放大器的负输入端。

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