[发明专利]一种抗串扰倒U型埋层光电二极管及生成方法

权利要求书

1.一种抗串扰倒U型埋层光电二极管，其特征在于：包括P型外延层(130)和在其下部的P型衬底(200)，P型外延层(130)上部设置有表面P+钳位层(100)，表面P+钳位层(100)下部设置有初始N型感光区(110)，初始N型感光区(110)下方设置有两层环形的P型轻掺杂埋层，P型轻掺杂埋层环形内部设置有二次N型感光埋层(410)。

2.一种抗串扰倒U型埋层光电二极管的生成方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：在P型外延层(130)内注入砷离子形成初始N型感光区(110)；

步骤二：在初始N型感光区(110)上的注入硼离子形成P+钳位层(100)；

步骤三：在初始N型感光区(100)下方与外延层交界处的周围使用LP光刻掩膜板(520)注入比砷离子投影射程长的N型杂质离子，形成LP1区域(320)，注入剂量范围为2×10¹¹cm^-2～3×10¹¹cm^-2，注入能量范围为650keV～850keV；

步骤四：在LP1区域(320)下方注入比砷离子投影射程长的N型杂质离子，形成LP2区域(321)，LP1区域(320)与LP2区域(321)形成纵向环形P型轻掺杂埋层，并产生内建电场，注入剂量范围为2×10¹¹cm^-2～3×10¹¹cm^-2，注入能量范围为1300keV～1600keV；

步骤五：使用Sn光刻掩膜板将砷离子(411)注入P型轻掺杂埋层环形内部，形成二次N型感光埋层(410)，二次N型感光埋层(410)与P型轻掺杂埋层产生侧壁寄生电容(420)，最终形成抗串扰倒U型埋层光电二极管。

3.根据权利要求3所述的一种抗串扰倒U型埋层光电二极管的生成方法，其特征在于：所述步骤一中P型外延层(130)的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3。

4.根据权利要求3所述的一种抗串扰倒U型埋层光电二极管的生成方法，其特征在于：所述步骤一中注入砷离子的剂量范围为5×10¹²cm^-2～7×10¹²cm^-2，注入能量范围为60keV～100keV。

5.根据权利要求3所述的一种抗串扰倒U型埋层光电二极管的生成方法，其特征在于：所述步骤二中硼离子的注入剂量范围为8×10¹²cm^-2～1×10¹³cm^-2，注入能量范围为5keV～8keV。

6.根据权利要求3所述的一种抗串扰倒U型埋层光电二极管的生成方法，其特征在于：所述步骤三和步骤四中比砷离子投影射程长的N型杂质离子为氮或磷。

7.根据权利要求3所述的一种抗串扰倒U型埋层光电二极管的生成方法，其特征在于：所述步骤五中砷离子(411)注入剂量范围为8×10¹¹cm^-2～12×10¹¹cm^-2，注入能量范围为200keV～300keV。