[发明专利]一种瞬态抑制二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种单向瞬态抑制二极管芯片，其特征在于，包含：

P型衬底硅片；

设置在P型衬底硅片上侧的N^-型反型层

设置在N^-型反型层上侧的N⁺型浅结区；

设置在N⁺型浅结区四周的N型深环区，所述N型深环区的顶部与所述N⁺型浅结区的顶部齐平；

氧化层，所述氧化层设置在N^-型反型层上方并覆盖部分N型深环区；

设置在N⁺型浅结区上侧的第一金属化电极，其宽度范围延伸至氧化层；

设置在P型衬底硅片下侧的P⁺补硼区；

设置在P⁺补硼区下侧的第二金属化电极；

其中，所述N^-型反型层是通过在P型衬底硅片上高温长时间氧化制得。

2.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管芯片，其特征在于，所述的N⁺型浅结区的深度小于N^-型反型层的深度。

3.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管芯片，其特征在于，所述的N型深环区的深度大于N^-型反型层的深度。

4.一种双向瞬态抑制二极管芯片，其特征在于，包含：

P型衬底硅片；

对称设置在P型衬底硅片上侧及下侧的N^-型反型层；

每一N^-型反型层上设置一N⁺型浅结区；

设置在每一N⁺型浅结区四周的N型深环区，所述N型深环区的顶部与所述N⁺型浅结区的顶部齐平；

每一N型深环区上方设置一氧化层，且所述氧化层设置在N^-型反型层上方并覆盖部分N型深环区；

每一N⁺型浅结区的上侧设置一金属化电极，其宽度范围延伸至对应氧化层；

其中，所述N^-型反型层是通过在P型衬底硅片上高温长时间氧化制得。

5.一种如权利要求1所述的单向瞬态抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

S1、提供衬底硅片，进行正面研磨及抛光；

S2、将硅片衬底进行高温长时间湿氧氧化，在硅片衬底正面形成N^-型反型层；

S3、正面光刻N型深环区窗口，并去除掉N型深环区窗口上的氧化层和硅片背面氧化层；

S4、磷预扩及再分布形成N型深环区，硅片背面补硼扩散形成P⁺补硼区；

S5、正面光刻N⁺型浅结区；

S6、N⁺型浅结区掺杂；

S7、正背面金属化，正面形成第一金属化电极，背面形成第二金属化电极；

S8、正背面金属反刻，并合金。

6.如权利要求5所述的瞬态抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述衬底硅片为P型材料，其电阻率为0.001~0.5欧姆·厘米。

7.如权利要求5或6所述的瞬态抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述的高温长时间湿氧氧化的温度为1200~1250℃，时间为6~10小时。

8.如权利要求7所述的瞬态抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述的N⁺浅结掺杂的方法为离子注入磷或高温扩散三氯氧磷。

9.一种如权利要求4所述的双向瞬态抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1、提供衬底硅片，双面研磨及抛光；

步骤2、将硅片衬底进行高温长时间湿氧氧化，在硅片衬底表面形成N^-型反型层；

步骤3、双面光刻N型深环区窗口，并去除掉N型深环区窗口上的氧化层；

步骤4、双面磷预扩及再分布形成N型深环区；

步骤5、双面光刻N⁺型浅结区；

步骤6、N⁺型浅结区掺杂；

步骤7、双面金属化，形成金属化电极；

步骤8、双面金属反刻，并合金。