[发明专利]一种制备透明导电膜的方法

权利要求书

1.一种制备透明导电膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基底，对所述基底进行超声清洗并冲洗干净，对冲洗干净的所述基底进行甩干、烘干；

将烘干后的所述基底放入磁控溅射腔，对所述磁控溅射腔的腔体进行抽真空；

在所述腔体中通入高纯Ar、O₂和辅助反应气体，保持所述溅射腔体的腔体压强为0.3Pa～1Pa；所述辅助反应气体为H₂或富氢化合物的一种；

对靶材进行溅射，在所述基底上形成透明导电膜；

对带有所述透明导电膜的所述基底进行退火处理，所述进行退火处理的温度为150～200℃。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述基底进行超声清洗并冲洗干净包括：使用酒精对所述基底进行超声清洗，用去离子水将所述基底冲洗干净。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述磁控溅射腔的腔体进行抽真空包括：使所述腔体内的本底真空度达到1×10^-3Pa。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对靶材进行溅射包括：采用直流电源对所述靶材进行溅射，溅射功率为3000～5000W。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对带有所述透明导电膜的所述基底进行退火处理包括：使用电热烘箱对带有所述透明导电膜的所述基底进行退火处理，所述进行退火处理的时间为5～30min。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述基底为超白玻璃、有机玻璃、柔性衬底中的一种。

7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述靶材为旋转靶材，所述靶材的成分为氧化铟锡或掺铝氧化锌。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述氧化铟锡的组分质量比为：In₂O₃:O₂＝9:1；掺铝氧化锌的组分质量比为：ZnO:Al₂O₃＝97:3。

9.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述富氢化合物为水、丙酮、乙醇中的一种。

10.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述高纯Ar、O₂和辅助反应气体的流量分别为380～400sccm，10～32sccm和5～100sccm。