[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：

a. 将第一屏蔽设置于基板上，所述第一屏蔽包括数个间隔的第一遮蔽区以及数个分别位于所述第一遮蔽区之间的第一镂空区；

b. 利用真空镀膜方式并配合所述第一屏蔽于所述基板上形成第一电极， 所述第一电极包括数个间隔且分别通过所述第一镂空区而披覆于所述基板表面的第一导电区以及数个分别位于所述第一导电区之间的第一分隔沟；

c. 将屏蔽设置于所述第一电极上，利用真空镀膜方式并配合所述屏蔽，于所述第一电极上形成一光电转换层，所述光电转换层包括数个间隔的光电转换单元以及数个分别位于所述光电转换单元之间的间隔沟，所述间隔沟的位置与所述第一分隔沟的位置错开；

d. 将第二屏蔽设置于所述光电转换层上， 所述第二屏蔽包括数个间隔的第二遮蔽区以及数个分别位于所述第二遮蔽区之间的第二镂空区；

e. 利用真空镀膜方式并配合所述第二屏蔽于所述光电转换层上形成第二电极，所述第二电极包括数个间隔且分别通过所述第二镂空区而披覆于所述光电转换单元表面的第二导电区、数个分别位于所述第二导电区之间的第二分隔沟以及数个分别自所述第二导电区通过所述光电转换单元而连接所述第一电极的连接导线。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述光电转换层包括上下间隔的p 型半导体层、n 型半导体层以及位于所述p 型半导体层与所述n 型半导体层之间的本质层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述屏蔽包括数个间隔的主遮蔽区以及数个分别位于所述主遮蔽区之间的成膜单元，每一所述成膜单元具有两个间隔的镂空区以及位于所述镂空区之间的导线遮蔽区，所述屏蔽设置于所述第一电极上时，所述主遮蔽区的位置与所述第一分隔沟的位置错开，所述导线遮蔽区的位置则分别位于所述第一导电区上；每一所述间隔沟的位置对应所述主遮蔽区的位置，所述光电转换单元的位置分别对应所述成膜单元的位置，每一所述光电转换单元具有二分别通过与其对应的所述成膜单元的所述镂空区而披覆在所述第一电极上的光电转换区以及一位于所述光电转换区之间并分别供所述第二电极的所述连接导线伸入的导线沟。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第一电极、所述光电转换层及所述第二电极之镀膜步骤是在同一真空腔体内进行。