[发明专利]一种二极管芯片酸洗工艺及设备在审

专利信息
申请号: 201410355331.7 申请日: 2014-07-24
公开(公告)号: CN104475390A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 蔡彤;张练佳;贲海蛟;梅余锋 申请(专利权)人: 如皋市易达电子有限责任公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;H01L21/02
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人: 滑春生
地址: 226500 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 二极管 芯片 酸洗 工艺 设备
【权利要求书】:

1.一种二极管芯片酸洗工艺,其特征在于:所述工艺依次为混合酸清洗、酸与双氧水清洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗,所述氨水与双氧水的混合清洗液为氨水、双氧水与纯水,所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:3~6。

2.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺,其特征在于:所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:5。

3.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺,其特征在于:所述氨水、双氧水与纯水的配置为:先加入纯水,再加入双氧水,最后加入氨水。

4.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺,其特征在于:所述氨水的浓度为17%-20%,所述双氧水浓度为30%-35%。

5.一种用于实现权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺的设备,其特征在于:包括在酸洗机上依次设置的混合酸清洗段、酸与双氧水清洗清洗段、氨水与双氧水清洗清洗段及水超声清洗段;所述水超声清洗段主要由清洗池、设置在清洗池内的轨道及超声发生器组成,所述轨道由左至右分别为弧形过渡段A、水平段及弧形过渡段B,所述水平段设置在清洗池的底部,且与清洗池底面平行。

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