[发明专利]一种提高电控衍射器件性能的方法

权利要求书

1.一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于该方法是在记录光栅的同时对电控衍射器件中的电控全息晶体两端施加直流外电场。

2.根据权利要求1所述的一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于直流外电场的大小为每毫米厚度的晶体的电压为300～800V。

3.根据权利要求1所述的一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于直流外电场的大小为每毫米厚度的晶体的电压为400V。

4.根据权利要求1所述的一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于直流外电场的大小为每毫米厚度的晶体的电压为500V。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于所述的电控全息晶体是能够产生电控光折变效应的顺电相电光材料。

6.根据权利要求5所述的一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于所述的产生电控光折变效应的顺电相电光材料为钽铌酸钾晶体或者钽铌酸钾钠晶体。

7.根据权利要求6所述的一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于所述的钽铌酸钾晶体或者钽铌酸钾钠晶体为掺杂锰和铁的钽铌酸钾晶体或者掺铁的钽铌酸钾钠晶体。

8.根据权利要求7所述的一种提高电控衍射器件性能的方法，其特征在于掺杂锰和铁的顺电相钽铌酸钾晶体按以下步骤制备：

一、按摩尔比K：(Ta+Nb)为26：25的比例，Mn摩尔浓度为0.01％～0.1％，铁的摩尔浓度为0.2％～0.3％称取K₂CO₃粉末、Ta₂O₅粉末、Nb₂O₅粉末、MnO₂粉末和Fe₃O₄粉末混合，得混合粉末，研磨混合均匀，放入坩埚内；

二、将坩埚置于加热炉，在室温条件下升温至900～1100℃，并保温9～11h，得掺铁、锰的钽铌酸钾多晶体；

三、将多晶体置于生长炉中，升温至1200～1230℃，并保温5～10h，而后降温至1180℃；

四、采用顶端籽晶助溶剂法，在籽晶杆转速为5～15r/min的条件下旋转到晶体放肩至8～15mm后，然后在提拉速度为0.4～0.6mm/h将晶体提拉至20～30mm，再将晶体提出，而后降至室温，即得立方相掺杂锰和铁的顺电相钽铌酸钾晶体，化学式为Fe_0.2～0.3:Mn_0.01～0.1:KTa_0.60Nb_0.40O₃；其中步骤一中Ta︰Nb的摩尔比为17：8，步骤四助溶剂为K₂CO₃粉末。