[发明专利]一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元

权利要求书

1.一种带电磁保护和加密功能的多用途主板单元，其特征在于，包括：STM32F207IGT6处理器(1)、FSMC(2)、CAN总线接口(3)、USB接口(4)、ADC接口(5)、ETH接口(6)、GPIO接口(7)、JTAG接口(8)、SDIO接口(9)、USART接口(10)、SPI接口(11)、I2S总线接口(12)、I2C接口(13)、TIME接口(14)、2×27双排插针一(15)、2×27双排插针二(16)、1×4单排插针(17)、Nand Flash存储器(18)、SRAM(19)、Nand Flash电磁保护电路(20)、SRAM电磁保护电路(21)、加密芯片(22)、处理器电磁保护电路(23)，

其中所述STM32F207IGT6处理器(1)与所述FSMC(2)相连，所述FSMC(2)与所述NandFlash存储器(18)和所述SRAM(19)相连，所述Nand Flash存储器(18)连有所述Nand Flash电磁保护电路(20)，所述SRAM(19)连有所述SRAM电磁保护电路(21)；所述CAN总线接口(3)、USB接口(4)、ADC接口(5)、ETH接口(6)、GPIO接口(7)连接到所述STM32F207IGT6处理器(1)上，用来通过2×27双排插针一(15)来连接外部相应功能模块，所述SDIO接口(9)、USART接口(10)、SPI接口(11)、I2S总线接口(12)、I2C接口(13)、TIME接口(14)连接到所述STM32F207IGT6处理器(1)上，用来通过2×27双排插针二(16)来连接外部相应功能模块；所述JTAG接口(8)连接到所述STM32F207IGT6处理器(1)上，用来通过1×4单排插针(17)将程序烧写到所述STM32F207IGT6处理器(1)上；所述STM32F207IGT6处理器(1)还连接有所述加密芯片(22)和处理器电磁保护电路(23)；

处理器电磁保护电路(23)包括三个部分：第一部分包括STM32F207IGT6处理器(1)的引脚PH0和PH1及NRST、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R2、电阻R6、具有两个电极的压电晶体Y1、数字地SGND，所述STM32F207IGT6处理器(1)的引脚PH0连接电容C1的一端和具有两个电极的压电晶体Y1的电极2的一端，所述电容C1的另一端连接数字地SGND，STM32F207IGT6处理器(1)的引脚PH1连接电阻R2，电阻R2的另一端连接所述具有两个电极的压电晶体Y1的电极1和电容C2，电容C2的另一端连接数字地SGND，STM32F207IGT6处理器引脚NRST(异步复位)连接电容C3和电阻R6，电容C3的另一端接数字地SGND，电阻R6的另一端引出一条线作为引脚NRST的引出线；第二部分包括STM32F207IGT6处理器(1)的引脚Vcap_1、电容C30、数字地SGND，所述STM32F207IGT6处理器(1)的引脚Vcap_1连接电容C30，电容C30的另一端连接数字地SGND；第三部分包括STM32F207IGT6处理器(1)的引脚Vcap_2、电容C29，数字地SGND，所述STM32F207IGT6处理器(1)的引脚Vcap_2连接电容C29，电容C29的另一端连接数字地SGND。

2.根据权利要求1所述的带电磁保护和加密功能的多用途主板单元，其特征在于，所述Nand Flash存储器(18)为型号为HY27UF082G2B的Nand Flash存储器。

3.根据权利要求1所述的带电磁保护和加密功能的多用途主板单元，其特征在于，所述Nand Flash电磁保护电路(20)包括Nand Flash存储器(18)的引脚E、引脚RB、引脚WP、两个VDD引脚，两个VSS引脚和电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C18、电容C19、电容C20、电容C21、数字地SGND、+3V3电源，所述引脚E连接电阻R4的一端，引脚RB连接电阻R3的一端，电阻R4和电阻R3的另一端共同连接+3V3电源；引脚WP连接电阻R5和电容C18的一端，电阻R5的另一端连接+3V3电源，电容C18的另一端连接数字自SGND；两个VDD引脚均连接+3V3电源，并连接电容C19、电容C20、电容C21的一端，电容C19、电容C20、电容C21的另一端连接两个VSS引脚，并连接数字地SGND。