[发明专利]一种二合一移动电源单电感的新型结构在审

专利信息
申请号: 201410355796.2 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN105281390A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 王冬峰;刘桂芝;刘检生;黄年亚 申请(专利权)人: 无锡麟力科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214000 江苏省无锡市锡山*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 二合一 移动 电源 电感 新型 结构
【说明书】:

技术领域

本发明涉及移动电源,具体涉及一种二合一移动电源单电感的新型结构。

背景技术

现有移动电源充放电芯片,在采用开关式充放电的架构下,需要4个功率管,实现充电和放电功能。并且在充电和放电过程中,功率通路上有3个功率管,降低了充放电的效率。

发明内容

本发明针对现有技术中的不足,提供一种二合一移动电源单电感的新型结构。

本发明是通过以下的技术方案实现的:一种二合一移动电源单电感的新型结构,包括充电用PMOSFET、放电用PMOSFET,所述充电用PMOSFET、放电用PMOSFET连接充电和放电合用NMOSFET,其中充电和放电合用NMOSFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容COUT。

与现有技术相比:减少了一个功率管,降低了成本。功率通路上只有2个MOSFET,提高了效率。

附图说明

图1为本发明的结构示意图;

图中:101、充电用PMOSFET;102、放电用PMOSFET;103、充电和放电合用NMOSFET;104、电感L;105、采样电阻RS;106、输出电容COUT。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。

如图1所示,一种二合一移动电源单电感的新型结构,包括充电用PMOSFET、放电用PMOSFET,所述充电用PMOSFET、放电用PMOSFET连接充电和放电合用NMOSFET,其中充电和放电合用NMOSFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容COUT。

本案采用3个MOSFET和一个电感,可实现同步降压模式的开关式充电功能和同步升压功能。充电时候放电用PMOSFET断开,充电用PMOSFET和充电和放电合用NMOSFET组成同步降压模式充电。放电时充电用PMOSFET断开,放电用PMOSFET和充电和放电合用NMOSFET组成同步升压模式放电。

以上所述仅为体现本发明原理的较佳实施例,并不因此而限定本发明的保护范围,凡是依本发明所作的均等变化与修饰皆在本发明涵盖的专利范围之内。

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