[发明专利]使用聚合物共混物的定向自组装形成具有亚光刻间距的特征的方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：

根据光刻工艺，在布置在衬底上的光致抗蚀剂层中形成第一特征的第一图案，所述光刻工艺具有最小可印制尺寸和最小可印制间距；

在具有形成于其中的所述第一图案的所述光致抗蚀剂层上涂覆附加层；

在所述附加层中形成第二特征的第二图案，所述第二特征与所述第一特征同心；以及

蚀刻所述衬底的通过所述第二图案而暴露的部分，

所述第一特征均包括被小于所述最小可印制尺寸的距离所分隔的几何特征，并且所述几何特征以小于所述最小可印制间距的间距布置，并且所述几何特征具有大于具有所述最小可印制尺寸作为直径的圆的面积的面积。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述几何特征满足所述光刻工艺的工艺窗口。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一特征是具有长轴和短轴的椭圆，所述长轴长于所述短轴，并且其中所述第二特征是圆。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述附加层是定向自组装(DSA)层，所述DSA层包括共混物DSA。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二图案是通过将所述DSA层热激活并且随后将所述DSA层图案化而形成的。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，分隔所述几何特征的所述距离小于50纳米(nm)，并且布置所述几何特征的所述间距小于90nm。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述光刻工艺是氟化氩(ArF)浸没式光刻工艺。

8.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

根据光刻工艺，在布置在衬底上的第一光致抗蚀剂层中形成第一特征的第一图案，所述光刻工艺具有最小可印制尺寸和最小可印制间距；

在具有形成于其中的所述第一图案的所述第一光致抗蚀剂层上涂覆附加层；

在所述附加层中形成第二特征的第二图案，所述第二特征与所述第一特征同心；

蚀刻所述衬底的通过所述第二图案而暴露的部分；

对所述衬底进行剥离；

在所述衬底上涂覆第二光致抗蚀剂层，并且在所述第二光致抗蚀剂层中形成第三特征的第三图案，所述第三图案是所述第一图案的平移版本；

在具有形成于其中的所述第三图案的所述第二光致抗蚀剂层上涂覆第三层；

在所述第三层中形成第四特征的第四图案，所述第四特征与所述第三特征同心；并且

蚀刻所述衬底的通过所述第四图案而暴露的部分；并且

所述第一特征和所述第三特征包括被小于所述最小可印制尺寸的距离所分隔的几何特征，并且所述几何特征以小于所述最小可印制间距的间距布置，并且所述几何特征具有大于具有所述最小可印制尺寸作为直径的圆的面积的面积。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述几何特征满足所述光刻工艺的工艺窗口。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一特征和所述第三特征是具有长轴和短轴的椭圆，所述长轴长于所述短轴，并且所述第二特征和所述第四特征是圆。

11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述附加层是定向自组装(DSA)层，所述DSA层包括聚合物共混物DSA。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二图案和所述第四图案中的一个是通过将所述DSA层热激活并且随后将所述DSA层图案化而形成的。

13.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，分隔两个所述几何特征的所述距离小于50纳米(nm)，并且布置两个所述几何特征的所述间距小于90nm。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，所述光刻工艺是氟化氩(ArF)浸没式光刻工艺。