[发明专利]一种改善GaN基LED效率下降的外延结构在审
| 申请号： | 201410356966.9 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104134732A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;李起鸣;徐慧文;孙传平 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 gan led 效率 下降 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善GaN基LED效率下降的外延结构，所述结构包括衬底和依次堆叠在衬底上的GaN底层、超晶格应力释放层、多量子阱层、P型InGaN插入层、P型电子阻挡层以及P型GaN层。
2.如权利要求1所述的改善GaN基LED效率下降的外延结构，其特征在于，所述P型InGaN插入层为脉冲式Mg掺杂，In的组分从0％至7％渐变；所述P型InGaN插入层的厚度为3nm～12nm，Mg掺杂浓度范围是1e18cm-3～1e19cm-3。
3.如权利要求1所述的改善GaN基LED效率下降的外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层为pAlGaN、或者由pAlGaN/pGaN组成的超晶格结构，所述电子阻挡层的厚度为30～80nm。
4.如权利要求1所述的改善GaN基LED效率下降的外延结构，其特征在于，所述P型GaN层中镁的掺杂浓度范围是1e19cm-3～6e20cm-3，所述P型GaN层的厚度为30nm～50nm。
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