[发明专利]负偏压温度不稳定性评估方法

权利要求书

1.一种负偏压温度不稳定性评估方法，其特征在于，对于CMOS器件，包括：

对CMOS器件中不同层间介质层薄膜下的均匀性进行实时电性测量得到实时电性参数，所述层间介质层位于CMOS器件各端口与金属连接层之间；

根据测量得到的实时电性参数与基准工艺条件的电性参数对CMOS器件的负偏压温度不稳定性进行评估，其中，在层间介质层的总厚度不变的前提下，对不同层间介质层薄膜下的均匀性进行电性测量得到电性参数进行统计分析得出相对于基准工艺条件的变化趋势。

2.根据权利要求1所述的方法，所述层间介质层包括：氮化硅层、第一氧化硅层、第二氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层为化学气相沉积氮化硅层，所述第一氧化硅层为亚气压化学气相沉积氧化硅层，所述第二氧化硅层为等离子体增强化学气相沉积氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积氮化硅层覆盖在CMOS器件端口各端口表面，亚气压化学气相沉积氧化硅层填充在栅极之间的空间以防止空洞的出现，等离子体增强化学气相沉积氧化硅层用于形成通孔，以连接CMOS器件的各端口与金属互连层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据测量得到的实时电性参数与基准工艺条件的电性参数数据对CMOS器件的负偏压温度不稳定性进行评估包括：根据电性参数的变化趋势、所述实时电性参数对CMOS器件的负偏压温度不稳定性进行评估。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果根据测量得到的实时电性参数大于基准工艺条件的电性参数，则判定对CMOS器件的负偏压温度不稳定性评估结果是负面的，否则，判定对CMOS器件的负偏压温度不稳定性评估结果是正面的。

7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述电性参数包括：开启电压、饱和电流、电阻、电容。

8.一种新工艺的开发方法，其特征在于，在形成晶圆完整流片之前包括权利要求1-7任一所述的方法。