[发明专利]一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法

权利要求书

1.一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法，其特征在于，所述方法在对所述晶圆进行通孔刻蚀后的清洗步骤之前实施，包括以下步骤：

步骤一：提供经通孔刻蚀后的所述晶圆，将所述晶圆放入净化设备，并使所述晶圆处于旋转状态；

步骤二：向所述晶圆的上表面喷射一定时间的氮气或惰性气体或其混合气体作为净化气体，利用所述晶圆的旋转作用，使所述净化气体在所述晶圆表面形成旋流状态，同时，设定所述净化气体与所述晶圆之间的喷射距离、喷射角度及喷射流量，对所述晶圆的上表面施以一定的气流冲击作用，使所述晶圆粘附的刻蚀副产物松动，并通过所述晶圆旋转产生的离心力，使所述刻蚀副产物在所述净化气体的携带下从所述晶圆分离；在此过程中，将所述净化设备内的所述净化气体及其携带的自所述晶圆分离的所述刻蚀副产物抽出，从而使所述晶圆得到净化；

步骤三：继续向所述晶圆的上表面喷射一定时间的氧化还原性气体作为反应气体，使所述氧化还原性气体与所述晶圆上残留的所述刻蚀副产物进行反应并分解所述刻蚀副产物；在此过程中，将所述净化设备内的所述氧化还原性气体及其携带的反应产物抽出，以消除所述刻蚀副产物在所述晶圆清洗之前的等待过程中与水反应产生凝结物缺陷的可能，使所述晶圆表面的微环境得以改善。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤二中，以二个方向向所述晶圆的上表面喷射所述净化气体，其中，一路所述净化气体以垂直方向向所述晶圆的上表面进行喷射，另一路所述净化气体以一定的倾斜方向向所述晶圆的上表面进行喷射。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述一路所述净化气体以垂直方向向所述晶圆的上表面中心进行喷射。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述另一路所述净化气体以0～90度的角度向所述晶圆的上表面进行喷射。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷射距离在10～100毫米之间可调。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述净化气体为氮气、氩气、氦气或其混合气体其中之一。

7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述净化气体的喷射温度为100～400摄氏度。

8.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述净化气体的喷射时间为10～60秒。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化还原性气体为O₂、O₃、H₂其中之一。

10.如权利要求1或9所述的方法，其特征在于，所述氧化还原性气体的喷射时间为1～5秒，喷射温度为20～100摄氏度。