[发明专利]SRAM检测结构版图的形成方法在审
申请号: | 201410357261.9 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN104091800A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 罗飞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L23/528;H01L21/8244;H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sram 检测 结构 版图 形成 方法 | ||
1.一种SRAM检测结构版图的形成方法,其特征在于,从平面版图设计角度出发,包括:
根据SRAM芯片版图的规律性,确定一第一金属层图形中需要连接的部分以及不需要连接的部分;
断开所述一第一金属层中不需要连接的部分,通过增加另一金属层图形使所述一第一金属层中连接的部分连接起来;
以所述一第一金属层层和第一连接通孔为基础,重新设计第二金属层图形,以连接相邻的所述第一连接通孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:从物理层角度出发,在衬底中设置浅沟道,并将接触孔直接落在所述浅沟道上,在所述接触孔之上依次形成所述第一金属层、所述第一连接通孔以及所述第二金属层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:在SRAM的芯片测试区域设置所述浅沟道、接触孔,以使SRAM芯片区域的物理层结构与芯片测试区域的物理层结构处于同一垂直高度处。
4.一种SRAM检测结构,其特征在于,包括:衬底、浅沟道、接触孔、所述第一金属层、所述第一连接通孔以及所述第二金属层,所述浅沟道设置在所述衬底中,所述接触孔直接落在所述浅沟道上,在所述接触孔之上依次形成所述第一金属层、所述第一连接通孔以及所述第二金属层。
5.根据权利要求4所述的检测结构,其特征在于,所述浅沟道、接触孔设置在SRAM的芯片测试区域设置,以使SRAM芯片区域的物理层结构与芯片测试区域的物理层结构处于同一垂直高度处。
6.一种SRAM检测结构版图,其特征在于,第一金属层图形中需要连接的部分通过增加另一金属层图形相连,第一金属层图形中不需要连接的部分断开,第二金属层图形以所述一第一金属层和第一连接通孔为基础经重新设计,所述第二金属层连接相邻的第一连接通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的