[发明专利]SRAM检测结构版图的形成方法在审

专利信息
申请号: 201410357261.9 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104091800A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 罗飞 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;H01L23/528;H01L21/8244;H01L21/768
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: sram 检测 结构 版图 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种SRAM检测结构版图的形成方法,其特征在于,从平面版图设计角度出发,包括:

根据SRAM芯片版图的规律性,确定一第一金属层图形中需要连接的部分以及不需要连接的部分;

断开所述一第一金属层中不需要连接的部分,通过增加另一金属层图形使所述一第一金属层中连接的部分连接起来;

以所述一第一金属层层和第一连接通孔为基础,重新设计第二金属层图形,以连接相邻的所述第一连接通孔。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:从物理层角度出发,在衬底中设置浅沟道,并将接触孔直接落在所述浅沟道上,在所述接触孔之上依次形成所述第一金属层、所述第一连接通孔以及所述第二金属层。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:在SRAM的芯片测试区域设置所述浅沟道、接触孔,以使SRAM芯片区域的物理层结构与芯片测试区域的物理层结构处于同一垂直高度处。

4.一种SRAM检测结构,其特征在于,包括:衬底、浅沟道、接触孔、所述第一金属层、所述第一连接通孔以及所述第二金属层,所述浅沟道设置在所述衬底中,所述接触孔直接落在所述浅沟道上,在所述接触孔之上依次形成所述第一金属层、所述第一连接通孔以及所述第二金属层。

5.根据权利要求4所述的检测结构,其特征在于,所述浅沟道、接触孔设置在SRAM的芯片测试区域设置,以使SRAM芯片区域的物理层结构与芯片测试区域的物理层结构处于同一垂直高度处。

6.一种SRAM检测结构版图,其特征在于,第一金属层图形中需要连接的部分通过增加另一金属层图形相连,第一金属层图形中不需要连接的部分断开,第二金属层图形以所述一第一金属层和第一连接通孔为基础经重新设计,所述第二金属层连接相邻的第一连接通孔。

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