[发明专利]CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法

权利要求书

1.一种CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构，其特征在于，所述监控结构位于半导体衬底的非功能区域中，其包括P型源漏离子注入区和光阻区，所述光阻区为进行N型源漏离子注入的区域；其中，

所述P型源漏离子注入区由P型阱-P型源漏极结构构成，包括：在非功能区中设置的P型阱，在所述P型阱中设置的P型源漏极，位于所述P型源漏极之间的栅极，位于所述非功能区表面的介质层，以及位于所述介质层中且对应于所述P型源漏极的接触孔；

所述光阻区由P型阱-N型源漏极结构构成，包括：在非功能区中设置的P型阱，在所述P型阱中设置的N型源漏极，位于所述N型源漏极之间的栅极，位于非功能区表面的介质层，以及位于所述介质层中且对应于所述N型源漏极的接触孔；

在正电势电子束扫描模式下得到的电压衬度影像图中，所述P型阱-P型源漏极结构对应的接触孔为亮孔，所述P型阱-N型源漏极结构对应的接触孔为暗孔。

2.根据权利要求1所述的监控结构，其特征在于，所述P型源漏离子注入区在所述光阻区周围环绕设置。

3.根据权利要求1所述的监控结构，其特征在于，所述监控结构中的P型阱呈若干平行的列等间距排布，所述栅极呈若干平行的行等间距排布；且所述栅极所在的行与所述P型阱所在的列呈正交分布；

所述光阻区中，所述栅极之间的P型阱中设置有N型源漏极；所述P型源漏离子注入区中，所述栅极之间的P型阱中设置有P型源漏极。

4.根据权利要求3所述的监控结构，其特征在于，所述光阻区的图形为一内角为60度的菱形；相邻所述P型阱的间距为相邻所述栅极的间距的3^1/3，所述P型阱的宽度为所述栅极宽度的3^1/3。

5.根据权利要求1所述的监控结构，其特征在于，所述光阻区各个轮廓线均能在相邻两个所述接触孔构成的直线中找到与之平行的直线。

6.一种CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控方法，其特征在于，包括监控结构的制备和电子束扫描两个过程，其中，

所述监控结构的制备包括：

步骤S01：提供一个半导体衬底的非功能区；

步骤S02：在所述非功能区中依次进行P型阱和栅极的制备；

步骤S03：在所述非功能区中需进行N型源漏离子注入的区域上覆盖一层P型源漏离子注入光阻，所述P型源漏离子注入光阻对应的区域为光阻区，所述光阻区之外的区域为P型源漏离子注入区；

步骤S04：对所述P型源漏离子注入区中的P型阱进行P型源漏离子注入，从而在该P型阱中形成P型源漏极；

步骤S05：去除所述P型源漏离子注入光阻；

步骤S06：采用光刻工艺遮挡住所述光阻区之外的区域，对所述光阻区中的P型阱进行N型源漏离子注入，从而在该P型阱中形成N型源漏极；

步骤S07：在所述非功能区表面形成介质层，在所述介质层中且分别对应于所述P型源漏极和所述N型源漏极上方形成接触孔；

所述电子束扫描过程包括：

步骤S08：在正电势电子束扫描模式下，采用电子束对所述监控结构进行扫描，得到所述测试结构的实际电压衬度影像图；其中，所述P型阱-N型源漏极结构对应的接触孔显示为暗孔，所述P型阱-P型源漏极结构对应的接触孔显示为亮孔；

步骤S09：设置所述监控结构在无对准度偏差情况下的标准电压衬度影像图；其中，所述P型阱-N型源漏极结构对应的接触孔显示为暗孔，所述P型阱-P型源漏极结构对应的接触孔显示为亮孔；

步骤S10：将所述实际电压衬度影像图与所述标准电压衬度影像图进行对比，找出发生亮度变化的所述接触孔；其中，包括所述P型阱-N型源漏极结构中由暗孔变为亮孔或者所述P型阱-P型源漏极结构中由亮孔变为暗孔的接触孔；

步骤S11：根据发生亮度变化的所述接触孔的数据得到所述光阻区的对准度偏差，也即是所述P型源漏极离子注入对准度偏差。

7.根据权利要求6所述的监控方法，其特征在于，所述步骤S08中，所述电子束对所述监控结构进行扫描的参数包括：像素为30～80 nm，着陆能量为500～1200 eV，电流为50～100 nA。

8.根据权利要求6所述的监控方法，其特征在于，所述步骤S11中，所述发生影响变化的接触孔的数据包括位置数据和数量数据。