[发明专利]功率级、放大器系统、方法以及多电平的输出功率级有效
申请号: | 201410357377.2 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN104348435B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 李丹 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层次 输出 共源共栅级 | ||
1.一种产生处在高参考电压、中间参考电压及低参考电压之一的输出电压的功率级,包括:
将输出端连接到所述高参考电压的第一开关级,包括沿它们的源极-漏极路径串联连接的一对晶体管,所述第一开关级的第一晶体管耦合到所述输出端并具有被偏置在所述中间参考电压的栅极,所述第一开关级的第二晶体管具有接收第一级控制信号的栅极,所述第一级控制信号在所述高参考电压和所述中间参考电压之间变化,
将所述输出端连接到所述中间参考电压的第二开关级,具有接收第二级控制信号的栅极,所述第二级控制信号在所述高参考电压、所述中间参考电压和所述低参考电压之间变化;
将所述输出端连接到所述低参考电压的第三开关级,具有沿它们的源极-漏极路径串联连接的一对晶体管,所述第三开关级的第一晶体管耦合到所述输出端并具有被偏置在所述中间参考电压的栅极,所述第三开关级的第二晶体管具有接收第三级控制信号的栅极,所述第三级控制信号在所述中间参考电压和所述低参考电压之间变化。
2.如权利要求1所述的功率级,其中,所述晶体管的击穿电压小于所述高参考电压和低参考电压之间的电压差。
3.一种产生处在第一参考电压、第二参考电压及第三参考电压之一的输出电压的功率级,包括:
将输出端连接到所述第一参考电压的第一开关级,包括沿它们的源极-漏极路径串联连接的一对晶体管,所述第一开关级的第一晶体管耦合到所述输出端并具有被偏置在所述第二参考电压的栅极,所述第一开关级的第二晶体管具有接收第一级控制信号的栅极,所述第一级控制信号在所述第一参考电压和所述第二参考电压之间变化,
将所述输出端连接到所述第二参考电压的第二开关级,具有接收第二级控制信号的栅极,所述第二级控制信号在所述第一参考电压、所述第二参考电压和所述第三参考电压之间变化;
将所述输出端连接到所述第三参考电压的第三开关级,具有沿它们的源极-漏极路径串联连接的一对晶体管,所述第三开关级的第一晶体管耦合到所述输出端并具有被偏置在所述第二参考电压的栅极,所述第三开关级的第二晶体管具有接收第三级控制信号的栅极,所述第三级控制信号在所述第二参考电压和所述第三参考电压之间变化。
4.如权利要求3所述的功率级,所述晶体管的击穿电压小于所述第一参考电压和第三参考电压之间的电压差。
5.一种放大器系统,包括:
功率级,具有用于至少两个电源电压的输入和用于耦合到负载的输出电压节点,该功率级包括:
第一多个晶体管,所述第一多个晶体管中的至少一个置于中间电压节点和输出电压节点之间,以及所述第一多个晶体管中的至少两个串联连接并置于高电压节点和所述输出电压节点之间;
第二多个晶体管,串联连接并置于所述输出电压节点和地之间;和
驱动器,用以产生控制信号到功率级,使得功率级在至少三个电压电平之间改变施加到负载的输出电压;
其中所述晶体管中的每一个的击穿电压小于所述至少三个电压电平中最高的电压电平和最低的电压电平之间的电压差,并且没有晶体管经受超过其击穿电压的电压。
6.如权利要求5所述的放大器系统,其中所述第一多个晶体管包括PMOS晶体管。
7.如权利要求5所述的放大器系统,其中所述第二多个晶体管包括NMOS晶体管。
8.如权利要求5所述的放大器系统,其中,所述输出电压节点适于输出高、中、低电压电平。
9.如权利要求5所述的放大器系统,进一步包括背栅控制器,以产生控制信号到所述第一多个晶体管中的至少一个。
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