[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种发光元件及其制造方法，发光元件包括：基板，包含上表面、下表面及多个侧面；以及半导体叠层，位于该基板的该上表面；其中该多个侧面之一包含：靠近该上表面的一第一区，具有一第一粗糙度；第二区，具有一或多条粗化痕，大致平行于该上表面或该下表面，且该粗化痕或该多条粗化痕的任一具有一第二粗糙度；以及第三区，介于该第一区及该第二区之间或/及该多条粗化痕之间，且具有一第三粗糙度；其中该第一粗糙度不大于第二粗糙度，且该第三粗糙度小于该第一粗糙度。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，特别是涉及一种发光二极管晶片的分割技术。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode,LED)为p型半导体与n型半导体所组成的光电元件，通过p-n接面上载流子的结合放出光线，可广泛地使用于光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材等。传统的发光二极管制作工艺，是在一基板上以外延技术成长半导体叠层，形成晶片，外延完成后需进行切割制作工艺，将晶片分割成多个发光二极管管芯。

现有的晶片切割技术先自发光二极管晶片的表面上形成两组彼此互相垂直的切割线，接着以劈刀对准两方向垂直线进行劈裂，使得晶片沿着切割线裂开而分离成多个发光二极管管芯。然而受限于此切割技术，倘若基板厚度增加，将造成劈裂良率不佳。此外，晶片在切割制作工艺中所产生的碎屑或微尘易残留于管芯上，造成吸光而使得管芯整体出光效果不佳、亮度降低。

发明内容

为解决上述问题，本发明公开一种发光元件制造方法，包含：提供一发光二极管晶片，包含一基板以及一半导体叠层位于基板上，其中该半导体叠层包含一下表面面对该基板，以及一上表面相对于该下表面；提供一第一激光光束，照射发光二极管晶片，以在发光二极管晶片表面形成多条切割线；提供一第二激光光束聚焦于基板内部，在基板中形成一或多条粗化痕；提供一外力于发光二极管晶片，使发光二极管晶片分离成多个发光二极管管芯。

一发光二极管管芯，包含：一基板，包含一上表面、一下表面及多个侧面；以及一半导体叠层，位于基板的上表面；其中多个侧面之一包含靠近上表面的一第一区，具有一第一粗糙度；一第二区，具有一或多条粗化痕，大致平行于上表面或下表面，且粗化痕或该多条粗化痕之任一具有一第二粗糙度；以及一第三区，介于第一区及第二区之间或/及多条粗化痕之间，且具有一第三粗糙度；其中第一粗糙度不大于第二粗糙度，且第三粗糙度小于第一粗糙度。

附图说明

图1A至图1F为本发明的制造方法的一实施例示意图；

图2为本发明的制造方法的另一实施例示意图；

图3为本发明的制造方法的另一实施例示意图；

图4为本发明的一实施例的结构示意图；

图5A及图5B为本发明的一实施例的电子显微镜扫描图；

图6为本发明的另一实施例的结构示意图；

图7为本发明的制造方法所量测在不同厚度基板下的发光二极管管芯的功率比较图。

符号说明

1 晶片

3 发光二极管管芯

10 基板

20 半导体叠层

22 第一半导体层

24 活性层

26 第二半导体层