[发明专利]一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法

权利要求书

1.一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：按照如下步骤制备： 步骤1，选取非透明基板，在非透明基板表面用银浆印刷电路后，将银浆印刷电路烧结在非透明基板上； 步骤2，采用助焊剂将芯片底部的锡球固定在非透明基板表面的印刷电路上； 步骤3，在非透明基板表面印刷电路的两端焊接有接线端； 步骤4，在非透明基板表面和芯片的顶部涂覆荧光胶，在非透明基板底面涂覆另一荧光胶。

2.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的芯片的制备步骤如下： 步骤1，选取蓝宝石外延片，用匀胶机在蓝宝石外延片表面涂布光刻胶，光刻胶的厚度为10微米以上； 步骤2，用光刻机对蓝宝石外延片表面光刻胶进行光罩破光； 步骤3，去除蓝宝石外延片表面电极点的光刻胶； 步骤4；在蓝宝石外延片表面电极点处印刷锡膏将锡膏熔化成锡球； 步骤5，用研磨机将若干个锡球表面磨平，使若干个锡球的高度相同； 步骤6，将蓝宝石外延片表面剩余的光刻胶全部去除； 步骤7，采用研磨机将蓝宝石外延片减薄至100um以下； 步骤8，将蓝宝石外延片用激光切割并裂片，形成若干块芯片。

3.根据权利要求2所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的将锡膏熔化成锡球的方法为用高于锡熔点的温度加热锡膏并回流成锡球。

4.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的非透明基板的厚度小于0.5毫米。

5.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的非透明基板的透明度为50% 以下。

6.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的银浆为银与树脂的混合物。

7.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的助焊剂为低残留助焊剂或无残留助焊剂。

8.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的荧光胶的厚度大于所述的另一荧光胶的厚度。

9.根据权利要求8所述的一种正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，其特征在于：所述的荧光胶的厚度大于所述的另一荧光胶的厚度的2倍。