[发明专利]半导体器件、半导体晶片结构和形成半导体晶片结构的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一区和第二区的半导体衬底，所述第一区具有第一导电性类型，并且所述第二区具有第二导电性类型，所述第二区包括所述第二导电性类型的一个或更多个区段；

具有中断区域的氧化物结构；以及

至少在氧化物的中断区域处与所述第二区接触的金属层结构，其中，所述氧化物结构向所述第二区上的突起确定所述第二区的所述一个或更多个区段中的至少一个区段中的至少两个中断区域，所述至少两个中断区域被所述氧化物结构的部分所分离，并且其中，所述氧化物结构直接位于所述金属层结构和所述半导体器件的所述第二区之间，或者，所述金属层结构直接位于所述氧化物结构和所述半导体器件的所述第二区之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底的所述第一区围绕所述半导体衬底的所述第二区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物结构被所述第二区的区域中的两个金属层结构所包围。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属层结构对应于能操作以接触所述半导体器件的功率金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属层结构在所述半导体衬底上施加力，并且其中，所述氧化物结构在所述半导体衬底或所述金属层结构上施加力，其中，由所述氧化物结构施加的力至少部分地被引导至由所述金属层结构施加的力的相反方向上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述半导体衬底上施加力的一个或更多个其它层，其中，所述氧化物结构被配置为施加至少部分地被引导至所述其它层中的至少两个层的组合力的相反方向上的力。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二区包括所述第二导电性类型的两个或更多个区段，并且其中，所述氧化物结构向所述第二区上的突起将所述第二区的两个或更多个区段中的至少一个区段再分为由所述氧化物结构的部分所分离的至少两个中断区域。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述氧化物结构的一部分的横向宽度小于所述第二区中的电荷载流子的扩散长度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物结构对于沿着所述半导体器件的表面的至少一个横向方向是对称的。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物结构包括网格结构。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底的第一区对应于n型半导体材料，以及其中，所述半导体衬底的第二区对应于p型半导体材料的层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中覆盖有氧化物的面积小于中断区域的面积。

13.一种半导体晶片结构，包括多个根据权利要求1所述的半导体器件。

14.根据权利要求13所述的半导体晶片结构，其中，所述氧化物结构贯穿所述多个半导体器件而延伸。

15.根据权利要求13所述的半导体晶片结构，其中，所述金属层结构在所述半导体衬底上施加力，以及其中，所述氧化物结构在所述半导体衬底或所述金属层结构上施加力，其中，由所述氧化物结构施加的力被至少部分地引导至由所述金属层结构施加的力的相反方向上。

16.根据权利要求13所述的半导体晶片结构，其中，所述氧化物结构对于至少一个晶片轴是对称的，或者对于所述晶片结构是径向对称的。

17.一种用于形成半导体晶片结构的方法，包括：

形成具有第一区和第二区的半导体衬底，所述第一区具有第一导电性类型，并且所述第二区具有第二导电性类型，所述第二区包括所述第二导电性类型的一个或更多个区段；以及

形成氧化物结构和金属层结构，所述氧化物结构具有氧化物的中断区域，所述金属层结构至少在所述氧化物的中断区域处接触所述第二区，其中，所述氧化物结构向所述第二区上的突起确定所述第二区的所述一个或更多个区段中的至少一个区段中的至少两个中断区域，所述至少两个中断区域被所述氧化物结构的部分所分离，并且其中，直接在所述金属层结构和所述半导体衬底的所述第二区之间形成所述氧化物结构或者直接在所述氧化物结构和所述半导体衬底的所述第二区之间形成所述金属层结构。