[发明专利]一种多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置和方法

权利要求书

1.一种多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置，主要包括：

一进水池，连接至两段格栅机；

格栅机连接至多段式复合垂直流土渗装置；

该多段式复合垂直流土渗装置连接表层湍流筛滤装置；

该表层湍流筛滤装置连接纳米曝气高级氧化装置；

其中：

两段格栅机为粗、细两段筛网，以拦截液体中的固态颗粒，并连续清除流体中杂物；

多段式复合垂直流土渗装置的底部为排空管，排空管的上方铺设有大粒径鹅卵石层，大粒径鹅卵石层的上方由一隔墙分成两部分，靠近格栅机部分至下而上地设有过滤石英陶瓷板和表面砂土层，通过表面砂土层中的进水管与格栅机连接；在靠近表层湍流筛滤装置部分由下而上地设有赤泥分子筛填料层和小鹅卵石层，在小鹅卵石层的上方的出水管连接表层湍流筛滤装置内的缩口进水管；

表层湍流筛滤装置的内部由多孔板分为上、下两个部分，多孔板上方铺设一层筛滤填料，筛滤填料的底部设有纳米曝气头，筛滤填料的上方设有曝气管，曝气管上的曝气孔垂直向上，曝气管上方设置有回流槽，并安装有超声波发生仪；多孔板下方为储水箱，储水箱内壁均匀负载一层非金属掺杂半导体光催化剂，储水箱底部安装有紫外灭菌灯，在紫外灭菌灯的空隙间设置纳米曝气头，表层湍流筛滤装置内部的筛滤填料中安装有缩口反冲洗管，该缩口反冲冼管与储水箱共同连接一反冲洗泵；表层湍流筛滤装置的出水口连接纳米曝气高级氧化装置；表层湍流筛滤装置内部剩余空间填充有半导体负载填料；

纳米曝气高级氧化装置的底部开设有排泥口，位于排泥口上方设置有纳米曝气盘，纳米曝气高级氧化装置的出水口连接反冲洗泵。

2.根据权利要求1所述的多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置，其中，两段格栅机内粗、细筛网均为玻璃钢材质，孔径分别为21mm及8mm。

3.根据权利要求1所述的多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置，其中，多段式复合垂直流土渗装置中的过滤石英陶瓷板采用天然硅酸盐原料经1200℃高温烧结而成，可隔绝胶体、颗粒有机物以及气体。

4.根据权利要求1所述的多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置，其中，多段式复合垂直流土渗装置中的进水管、出水管和排空管均为钻孔PVC管。

5.根据权利要求1所述的多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置，其中，表层湍流筛滤装置的筛滤填料为石英砂、改性锰砂与天然沸石分子筛按照5:2:1比例混合而成，其中掺杂少量零价纳米铁，粒径为0.5-2.0mm。

6.根据权利要求1所述的多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置，其中，表层湍流筛滤装置的半导体负载填料为硼掺杂纳米TiO₂粉体负载在立体网状聚丙烯填料。

7.根据权利要求1所述的多段式复合垂直流土渗装置浊度污水深度处理装置，其中，多段式复合垂直流土渗装置的表面砂土层种植有植物。