[发明专利]浅沟槽隔离的工艺方法在审
| 申请号： | 201410359893.9 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078409A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 工艺 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上形成硬质掩膜层，所述硬质掩膜层内形成暴露出所述衬底的开口；
步骤S02：采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽；其中，所述隔离沟槽的底部位于所述衬底中；
步骤S03：对所述硬质掩膜层进行回刻，并在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；
步骤S04：沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述硬质掩膜层的表面，并对所述隔离介质层进行平坦化工艺至剩余的硬质掩膜层的表面；
步骤S05：沿所述开口对所述隔离介质层进行第一次回刻，使所述隔离介质层的上表面位于所述硬质掩膜层中；
步骤S06：在所述隔离介质层表面形成无定形碳层，并对无定形碳层进行刻蚀以形成无定形碳侧墙；
步骤S07：以无定形碳侧墙为掩膜对所述隔离介质层进行第二次回刻；其中，所述隔离介质层的上表面高于所述衬底的上表面；
步骤S08：采用刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层及无定形碳侧墙，以形成浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，所述硬质掩膜层为单层结构且厚度大于所述硬质掩膜层的材料为多晶硅、氮化硅或氮化硼其中的一种。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，步骤S07中，对所述隔离介质层进行第二次回刻的深度不小于
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，所述无定形碳侧墙的宽度大于
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，所述内衬层通过高深宽比工艺形成并覆盖在所述隔离沟槽侧壁、底部表面。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，步骤S06中，所述无定形碳层的上表面与所述硬质掩膜层表面平齐。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，所述隔离介质层的材质为无定形碳。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，所述步骤S04中，采用化学气相沉积工艺将所述隔离介质层填满所述隔离沟槽并覆盖所述硬质掩膜层的表面。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，所述步骤S04中，所述隔离沟槽中所述隔离介质层的上表面与所述硬质掩膜层表面平齐。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，在步骤S02中，所述的刻蚀工艺为等离子刻蚀工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
