[发明专利]IGBT器件制备方法及IGBT器件

权利要求书

1.一种IGBT器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：

于一衬底中制备IGBT单元的本体区后，于所述本地区中形成源极区；

在所述衬底的正面制备包含有栅氧化层和场氧化层的绝缘薄膜，并于所述绝缘薄膜上沉积多晶硅薄膜；

部分刻蚀所述多晶硅薄膜至所述衬底的正面表面，形成将局部所述源级区暴露的接触孔；

沉积一钝化层，所述钝化层覆盖所述多晶硅薄膜且部分填充所述接触孔；

刻蚀位于所述接触孔内的所述钝化层，保留位于所述多晶硅薄膜上方和所述接触孔侧壁附着的钝化层；

依次制备SiO薄膜、SiN薄膜形成复合层，且所述复合层覆盖所述钝化层暴露的表面及暴露的源极区；

生长一SiO材料层，并对所述SiO材料层进行图案化工艺，保留交叠于所述场氧化层之上的一SiO预留区；

以所述SiO预留区作为掩膜刻蚀掉所述SiN薄膜未被所述SiO预留区遮蔽住的区域；

在所述衬底的背面进行减薄工艺，并于减薄后的衬底背面注入与衬底导电类型相反的离子；

去除未被所述SiO预留区覆盖住而暴露的SiO薄膜后，在所述接触孔内制备与源极区保持电性接触的金属栓塞，和生成覆盖于SiO预留区、钝化层之上的金属材料层；

移除覆盖在所述SiO预留区上的金属材料层。

2.根据权利要求1所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

移除覆盖在所述SiO预留区上的金属材料层后，继续在所述减薄后的衬底背面进行金属化工艺。

3.根据权利要求1所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

于所述衬底的减薄背面注入与衬底导电类型相反的离子的步骤后，继续进行退火工艺。

4.根据权利要求3所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，在温度大于1000℃的条件下进行所述退火工艺。

5.根据权利要求1所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，所述SiO薄膜的厚度小于100nm，所述SiN薄膜的厚度小于100nm。

6.根据权利要求1所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，所述金属材料层的厚度小于所述SiO材料层的厚度。

7.根据权利要求1所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

于清洗工艺后，继续去除未被所述SiO预留区覆盖住而暴露的SiO薄膜。

8.根据权利要求1所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

采用低温蒸镀工艺或溅射工艺制备所述金属材料层。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，采用lift-off工艺移除覆盖在所述SiO预留区上的金属材料层。

10.根据权利要求9所述的IGBT器件制备方法，其特征在于，采用粘贴蓝膜并揭膜的方式进行所述lift-off工艺。

11.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括：

一第一导电类型的衬底，所述衬底顶部植入有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的本体区，且一第一导电类型的源级区设置在所述本体区中；

绝缘薄膜，位于所述衬底上表面之上，且该绝缘薄膜包含栅氧化层和场氧化层；

多晶硅薄膜，沉积在所述绝缘薄膜之上；

接触孔，贯穿所述多晶硅薄膜并对准及暴露出至少局部所述源极区；

钝化层，覆盖于多晶硅薄膜之上，且附着在所述接触孔的侧壁上；

金属材料层，位于所述钝化层之上，且填充在所述接触孔内并与源极区形成电性接触的金属栓塞；

分隔槽，贯穿设置于所述金属材料层中，以将所述金属材料层分离断开成数个彼此电绝缘的部分，且该金属材料层中与所述金属栓塞电性连接的一部分形成发射极电极；

第二导电类型的集电区，植入在所述衬底的底部；

背面金属层，沉积在所述衬底的下表面，且与所述集电区间形成欧姆接触并作为集电极。