[发明专利]一种双面发光的LED芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 201410360317.6 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104091879A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 胡溢文 申请(专利权)人: 胡溢文
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 代理人: 刘伍堂
地址: 215122 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 双面 发光 led 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种双面发光的LED芯片封装结构,包括芯片,其特征在于:芯片(9)包括P电极(1)、P极电流扩散层(2)、P氮化镓P-Gan(3)、N电极(4)、N极电流扩散层(5)、N氮化镓N-Gan(6)和蓝宝石衬底(7),蓝宝石衬底(7)的上表面贴附有N氮化镓N-Gan(6),N氮化镓N-Gan(6)的上表面一端和中部贴附有P氮化镓P-Gan(3),P氮化镓P-Gan(3)的上表面贴附有P极电流扩散层(2),P极电流扩散层(2)的上表面贴附有P电极(1),N氮化镓N-Gan(6)的上表面另一端贴附有N极电流扩散层(5),N极电流扩散层(5)的上表面贴附有N电极(4)。

2.根据权利要求1所述的一种双面发光的LED芯片封装结构,其特征在于:所述的芯片(9)的P电极(1)和N电极(4)表面设有锡球(10),芯片(9)倒置并与基板(12)表面的印刷电路(11)固定,芯片(9)与印刷电路(11)之间采用助焊剂焊接锡球(10)固定,基板(12)和芯片(9)的表面、基板(12)的底面分别涂覆有荧光胶(13)。

3.根据权利要求2所述的一种双面发光的LED芯片封装结构,其特征在于:所述的基板(12)为非透明基板。

4.根据权利要求1所述的一种双面发光的LED芯片封装结构,其特征在于:所述的P电极(1)为金锡合金或锡凸点。

5.根据权利要求1所述的一种双面发光的LED芯片封装结构,其特征在于:所述的N电极(4)为金锡合金或锡凸点。

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