[发明专利]带有切割胶带的芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种带有切割胶带的芯片接合薄膜，其具有在基材上层叠有粘合剂层的切割胶带和层叠在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述芯片接合薄膜含有热塑性树脂(a)和25℃下的粘度为0.1～50Pa·s的热固性树脂(b)，

所述热塑性树脂(a)为含有官能团的丙烯酸类共聚物，

所述热固性树脂(b)为酚醛树脂，并且所述芯片接合薄膜不含有环氧树脂，

所述热固性树脂(b)相对于全部树脂成分的含量为1重量％以上且50重量％以下，

相对于树脂成分100重量份，所述芯片接合薄膜含有0～95重量份的无机填充剂，

所述芯片接合薄膜在170℃加热固化1小时后的、260℃下的储能弹性模量为0.05MPa以上，

所述芯片接合薄膜不含有离子捕获剂，

所述粘合剂层由辐射固化型粘合剂形成。

2.如权利要求1所述的带有切割胶带的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述热固性树脂(b)为由下述化学式(1)表示的热固性树脂，

式(1)中，n为0～10的整数，R¹各自独立地表示烯丙基或H，且至少一个R¹为烯丙基，m为1～3的整数。

3.如权利要求1所述的带有切割胶带的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述芯片接合薄膜的5℃下的断裂伸长率为10％以上。

4.如权利要求1所述的带有切割胶带的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合剂层包含含有丙烯酸2-乙基己酯作为构成单元的丙烯酸类聚合物。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

将权利要求1～4中任一项所述的带有切割胶带的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜与半导体晶片的背面贴合的贴合工序，

将所述半导体晶片与所述带有切割胶带的芯片接合薄膜一起切割而形成芯片状的半导体元件的切割工序，

将所述半导体元件与所述芯片接合薄膜一起从所述带有切割胶带的芯片接合薄膜上拾取的拾取工序，

通过所述芯片接合薄膜将所述半导体元件芯片接合到被粘物上的芯片接合工序，

对所述半导体元件进行引线接合的引线接合工序，和

将所述半导体元件密封的工序。