[发明专利]一种阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201410360563.1 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104181740B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 郭建 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 彭瑞欣,陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

液晶显示装置(LCD:Liquid Crystal Display)因其体积小、功耗低、无辐射等特点已成为目前平板显示装置中的主流产品。

液晶显示装置通常包括阵列基板,阵列基板上设置有薄膜晶体管和像素电极,像素电极与薄膜晶体管的漏极连接,显示时,通过薄膜晶体管的开关控制,实现像素电极的充电显示作用。通常,在薄膜晶体管和像素电极之间设置有绝缘层,像素电极通过开设在绝缘层中的过孔与薄膜晶体管的漏极连接。

随着液晶显示面板分辨率的提升,像素电极的布设区域越来越小,在实现像素电极与漏极之间过孔搭接的同时,还要确保像素电极图形之间保留有充分的间距,以避免像素电极图形之间发生短路。目前,为了避免像素电极图形之间发生短路,如图1所示,通常将控制相邻两个像素电极2的薄膜晶体管1设置在相邻两个像素电极2之间的间隔区域内。

但是,由于像素电极2在制备完毕后通常通过完全覆盖绝缘层中的过孔3来实现与薄膜晶体管1漏极11的连接,这会使得两个像素电极2在与各自所对应的漏极11连接的两个连接部6之间的距离L靠得很近,很容易导致两个像素电极2之间发生短路。如果将两个连接部6之间的距离增大,使两个连接部6之间保留充分的间距,又会导致像素电极2图形面积相对减小,从而对显示面板显示时的开口率产生不利的影响,同时,还会对显示面板分辨率的提升造成一定的困难。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题,提供一种阵列基板和显示装置。该阵列基板通过使像素电极在正投影方向上覆盖过孔的局部边缘,不仅避免了像素电极之间发生短路,而且能够提高显示产品的开口率,同时还能提高显示产品的分辨率。

本发明提供一种阵列基板,包括薄膜晶体管和设置在所述薄膜晶体管上方的像素电极,所述像素电极和所述薄膜晶体管之间夹设有绝缘层,所述像素电极通过开设在所述绝缘层中的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接,所述像素电极在正投影方向上覆盖所述过孔的局部边缘。

优选地,还包括多条栅线和数据线,所述栅线和所述数据线空间交叉将所述阵列基板划分为多个区域,所述像素电极包括多个,所述薄膜晶体管包括多个,所述像素电极与所述薄膜晶体管一一对应连接;

任意相邻的两个所述像素电极分别对应设置在相互间隔的两个所述区域内,与相邻两个所述像素电极连接的所述薄膜晶体管设置在相邻两个所述像素电极之间间隔的所述区域内。

优选地,与相邻两个所述像素电极连接的所述薄膜晶体管的漏极分设在相邻两个所述像素电极之间间隔的所述区域的对角位置上,与相邻两个所述像素电极相对应的所述过孔分别对应位于所述漏极的正投影方向上。

优选地,相邻两个所述像素电极在正投影方向上分别覆盖与其相对应的两个所述过孔的相对且相互远离的一侧边缘。

优选地,所述像素电极在正投影方向上与所述过孔相重叠部分的最大宽度小于所述过孔的最大孔径。

优选地,所述像素电极在正投影方向上覆盖所述过孔的靠近所述像素电极的一侧边缘。

优选地,所述像素电极的对应与所述薄膜晶体管的相连接部分的形状呈梯形,所述梯形的较短的底边与所述过孔相覆叠。

优选地,所述梯形的较短的底边的长度小于2μm。

优选地,所述像素电极的对应与所述薄膜晶体管的相连接部分的形状呈矩形,所述矩形的一宽边与所述过孔相覆叠。

优选地,所述矩形的宽边的长度小于2μm。

本发明还提供一种显示装置,包括上述阵列基板。

本发明的有益效果:本发明所提供的阵列基板,通过使像素电极在正投影方向上覆盖过孔的局部边缘,使相邻两个像素电极之间的距离明显增大,这不仅避免了像素电极之间发生短路,而且,由于像素电极之间的距离明显增大,所以能够在确保像素电极之间不发生短路的情况下,适当地减小薄膜晶体管所在区域的面积,如此能使像素电极所在区域的面积相应增大,从而能使像素电极的面积适当增大,进而提高了显示产品的开口率,同时,像素电极所在区域面积的增大,还能使像素电极的数量相应增多,进而还能提高显示产品的分辨率。

本发明所提供的显示装置,通过采用上述阵列基板,提高了显示装置的开口率和分辨率。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的局部结构俯视图;

图2为本发明实施例1中阵列基板的局部结构俯视图;

图3为本发明实施例2中阵列基板的局部结构俯视图。

其中的附图标记说明:

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