[发明专利]一种半导体封装基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装基板的结构，其包括芯板，其特征在于：所述芯板两侧设置有增层层，所述增层层与芯板之间通过盲孔连接，盲孔底部与线面增层层的焊盘相连，所述增层层上或者增层层内部设置有导电线路，所述芯板上设置有导通孔，所述芯板上下两面的所述导电线路间通过所述导通孔连接，所述导通孔内设置有塞孔材料，上下面所述增层层中的设置有金属柱，所述金属柱设置在所述增层层内，所述金属柱与内层导电层相连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装基板结构，其特征在于：上下所述增层层包括有多层增层层，所述增层层之间通过盲孔连接，所述最外层增层层内分别设置有导电线路，上下面最外层所述增层层中设置有金属柱。

3.一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：

（1）、芯板的制作，双面覆铜板形成导通孔，采用通孔金属化的工艺沉积使导通孔连接覆铜板上下两面的金属，在导通孔内部填充塞孔材料，通过线路形成工艺，在覆铜板正反两面形成导电线路；

（2）、增层层制作，其包括：（a）、在芯板正背面贴合增层材料，在增层材料上形成盲孔，盲孔底部露出焊盘；（b）、在增层材料上沉积导电层，形成导电线路，在导电层上涂覆感光树脂；（c）、去除感光树脂和多余的导电层，完成增层层制作；

（3）、形成第一窗口，在增层层正背面再涂覆感光树脂，通过曝光显影的方式在正面的感光树脂上面形成第一窗口，第一窗口露出正面所需要的导电线路和焊盘；

（4）、形成金属柱，使用电镀的工艺第一在窗口中电镀导电材料形成金属柱，金属柱的高度不高于感光树脂的高度，去除感光树脂和种子层；

（5）、在增层层正背面贴合增层材料，增层材料将金属柱覆盖；

（6）、封装基板正背面减薄，去除表面部分增层材料，露出铜柱，铜柱表面进行防腐处理。

4. 根据权利要求3所述的一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：重复步骤（2）和步骤（3）的工艺，形成多层增层层，增层层之间通过盲孔连接，增层层内分别设置有导电线路。

5.根据权利要求3所述的一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：步骤（1）中，双面覆铜板通过机械钻孔或激光钻孔形成导通孔，通孔金属化工艺包括溅射黑孔、化学沉铜、黑影、电镀铜或印刷导电介质工艺，塞孔材料包括树脂或导电介质，线路形成工艺包括涂覆感光树脂、曝光、显影、蚀刻 、激光划槽形成导电线路工艺。

6.根据权利要求3所述的一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：步骤（2）中，贴合方式包括热压、滚压、真空压合、快速压合、印刷、旋涂、喷涂工艺，增层材料包括半固化片、油墨、聚酰亚胺、纯胶、背胶铜箔、ABF材料或其他可以用于印刷电路板的介质材料，使用机械钻孔或激光钻孔方式在增层材料上形成盲孔；

采用半加成工艺形成导电线路。

7.根据权利要求3所述的一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：步骤（3）中，在最外层半加成工艺的流程中去除感光树脂后，保留导电层，通过曝光显影的方式在正面的感光树脂上面形成窗口。

8.根据权利要求3所述的一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：步骤（4）中，使用电镀的工艺在窗口中电镀导电材料形成金属柱，铜柱截面可以是圆形、也可以是方形、五边形、六边形、八边形和任意可以通过光刻显影工艺形成的图形，导电材料包括Cu、Ag、Au、Sn、Al材料或合金材料。

9.根据权利要求3所述的一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：步骤（5）中，增层材料的加工方式包括热压、滚压、真空压合、快速压合、印刷、旋涂、喷涂工艺，两种材料可以同时贴合也可以分开贴合，增层材料包括半固化片、油墨、聚酰亚胺、纯胶、背胶铜箔、ABF材料（Ajinomoto Build-up Film）或其他可以用于印刷电路板的介质材料，增层层顶部到金属柱顶部的距离不超过10微米。

10.根据权利要求3所述的一种半导体封装基板结构的制作方法，其特征在于：步骤（6）中使用磨刷、研磨、机械抛光、喷砂、CMP工艺在增层材料表面露出铜柱，使用化学镍金、化学镍钯金、化学锡、化学银工艺将裸露出的铜柱表面进行防腐处理。