[发明专利]切割用载具及切割方法在审
申请号: | 201410363219.8 | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN105321840A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 蒋静雯;庄龙山;陈光欣;袁宗德;陈贤文;王日富 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 用载具 方法 | ||
技术领域
本发明有关于一种切割用载具及切割方法,尤指一种具有凹槽结构的切割用载具及应用该切割用载具的切割方法。
背景技术
现有的用于切割晶圆、装置晶圆(devicewafer)或已封装装置晶圆的切割(dicing)技术的主要步骤通过先将例如晶圆、装置晶圆(devicewafer)或已封装装置晶圆的待切割物接置于一切割胶带(dicingtape)上,接着,以红外线(IR)摄影机辨识切割路径(scribeline)的预设位置,并以刀具沿该切割路径切割该待切割物,此时,该切割胶带亦受到刀具部分切割而受损,再以紫外光(UV)照射该切割胶带以去除其粘性,最后,以机器手臂个别从该切割胶带上取下经切割的该待切割物。
然而,因电子产品目前均趋向于轻、薄、短小,遂发展出例如3D-IC等较为复杂且精密的封装技术,而前述现有的切割技术所使用的切割胶带仅为暂时的与无法重复使用的,且前述高阶封装技术常需要能双面电路导通、能搬运薄化基材的较硬及耐高温的切割用载具,故现有的切割胶带的制程仅能单独进行而无法同时进行封装制程,进而需与封装制程分开进行,增加了封装制程的步骤、复杂度及成本。
因此,如何避免上述现有技术中的种种问题,实为目前业界所急需解决的课题。
发明内容
有鉴于上述现有技术的缺失,本发明提供一种切割用载具及切割方法,能有效节省制程时间与成本。
本发明的切割用载具包括:板体,其一表面用于接置待切割物;以及凹槽结构,其形成于该板体的该表面上。
本发明还提供一种切割方法,包括:于一切割用载具上接置待切割物,该待切割物具有切割路径,该切割用载具包括:板体,其一表面接置该待切割物;及凹槽结构,其形成于该板体的该表面上,且该凹槽结构的位置对应该待切割物的切割路径;沿该切割路径切割该待切割物;以及移除该切割用载具。
由上可知,本发明的切割用载具预先形成有对应待切割物的切割路径的凹槽结构,所以后续切割时不会损伤该切割用载具,而能重复使用该切割用载具,以节省成本;此外,本发明的切割用载具的材质坚硬且耐高温,故切割制程可与许多封装制程并行进行,进而简化制程步骤与成本;况且,本发明还可形成有凹部,并将导电元件置于内部,以于切割时保护该导电元件免于受到损伤;此外,本发明的板体的另一表面也可做为一般用途的载具。
附图说明
图1A至图1G所示者为本发明的切割方法的剖视图。
图2A至图2F所示者为本发明的切割方法的各种变化例的剖视图,其中,图2B’为图2B的另一实施例。
图3A至图3F所示者为本发明的切割方法的另一实施例的剖视图,其中,图3D-1、图3D-2与图3D-3所示者为图3D的各种变化例。
符号说明
1切割用载具
10板体
101凹槽结构
102凹部
2待切割物
20、71、74基板
20a、71a第一表面
20b、71b第二表面
201导电柱
21线路层
22、23凸块底下金属层
24、72导电元件
30粘着层
4中介板
5、73晶片
6封装基板
75封装胶体
76第一晶片
77第二晶片。
具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用于配合说明书所揭示的内容,以供本领域技术人员的了解与阅读,并非用于限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的用语亦仅为便于叙述的明了,而非用于限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当也视为本发明可实施的范畴。
图1A至图1G所示者,为本发明的切割方法的剖视图。
如图1A所示,提供一切割用载具1,该切割用载具1包括板体10与凹槽结构101,且该凹槽结构101形成于该板体10的一表面上,形成该板体10的材质为玻璃、半导体、陶瓷或金属,举例来说,该板体10可为晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造