[发明专利]在芯片背侧具有组合无源器件的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

衬底，包括第一侧和第二侧，其中所述第二侧与所述第一侧相对；

半导体器件，形成在所述衬底的所述第一侧上；

电绝缘层，形成在所述衬底的所述第二侧的至少部分上；

无源器件，形成在所述衬底的所述第二侧上的所述电绝缘层的至少部分上，其中所述无源器件与所述半导体器件电绝缘；以及

芯片载体，包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分电隔离，并且其中所述芯片载体包括导电材料，

其中所述芯片载体的所述第一部分的至少区段直接机械耦合至所述无源器件。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，所述半导体芯片进一步包括：

第一电极，电耦合至所述无源器件的第一极板，其中所述第一电极机械固定至所述芯片载体的所述第一部分；以及

第二电极，电耦合至所述无源器件的第二极板，其中所述第二电极机械耦合至所述芯片载体的所述第二部分。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述电绝缘层包括氧化物层，以及其中所述无源器件为电容器器件并且进一步包括：

第一金属层，形成在所述氧化物层的至少部分上；

介电层，形成在所述第一金属层的至少部分上；

第二金属层，形成在所述介电层的至少部分上；以及

对芯片载体的隔离层，形成在所述第二金属层的至少部分上。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中所述半导体器件是配置为具有近似在所述衬底的所述第一侧与所述第二侧之间流动的电流的场效应晶体管，其中所述衬底的所述第二侧的所述部分是所述衬底的所述第二侧的第一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中所述第一金属层的所述部分是所述第一金属层的第一部分，其中所述第二金属层的所述部分是所述第二金属层的第一部分，所述半导体芯片进一步包括：

层堆叠，形成在所述衬底的所述第二侧的第二部分的至少部分之上；

第一电极，形成在所述第一金属层的至少第二部分上；

第二电极，形成在所述第二金属层的第二部分上；

芯片载体的第一部分，机械耦合至所述层堆叠的至少部分；

所述芯片载体的第二部分，机械耦合至所述第一电极；以及

所述芯片载体的第三部分，机械耦合至所述对芯片载体的隔离层的至少部分和所述第二电极，其中所述芯片载体的所述第一部分、第二部分和第三部分相互电隔离。

6.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中所述衬底的第二侧的所述部分是所述衬底的第二侧的第一部分，其中所述第一金属层形成在所述衬底的所述第二侧的至少第二部分上，所述半导体芯片进一步包括：

层堆叠，形成在所述第一金属层的至少第二部分之上，其中所述第一金属层的所述第二部分形成在所述衬底的所述第二侧的所述第二部分上。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述半导体器件是发光二极管(LED)、场效应晶体管(FET)和垂直FET中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述无源器件具有沟槽结构。

9.一种半导体芯片，包括：

衬底，包括第一侧和第二侧，其中所述第二侧与所述第一侧相对；

半导体器件，形成在所述衬底的所述第一侧上；

电绝缘层，形成在所述衬底的所述第二侧的至少部分上；

无源器件，形成在所述衬底的所述第二侧上的所述电绝缘层的至少部分上，其中所述无源器件与所述半导体器件电绝缘；以及

引线框架，机械耦合至所述半导体器件和所述无源器件，使得所述半导体器件和所述无源器件相互电隔离。