[发明专利]放大器电路

权利要求书

1.一种封装的高功率射频RF放大器电路，包括差分放大器电路，所述差分放大器电路包括：

半导体晶片，该半导体晶片具有高电阻率衬底并且包括第一LDMOS晶体管和第二LDMOS晶体管，其中，所述第一LDMOS晶体管的源极通过源极到源极的连接电连接到所述第二LDMOS晶体管的源极，

其特征在于，所述差分放大器电路还包括:

第一组多个键合引线，所述第一组多个键合引线在所述第一LDMOS晶体管的漏极与所述第二LDMOS晶体管的漏极之间延伸，

其中，所述源极到源极的连接由中间层金属形成，以使得由于所述差分放大器电路的差分操作，所述源极到源极的连接的中点成为虚拟AC地，所述第一LDMOS晶体管的源极和所述第二LDMOS晶体管的源极各自通过连接到地的物理连接进行DC接地，连接到地的所述物理连接与所述源极到源极的连接分离；并且

其中，所述高电阻率衬底具有大于50Ω*cm的电阻率。

2.根据权利要求1所述的封装的高功率射频RF放大器电路，包括：

具有法兰的封装，

其中，用于将所述第一LDMOS晶体管的源极和所述第二LDMOS晶体管的源极接地的所述物理连接各自包括第二组多个键合引线，所述第二组多个键合引线用于将所述第一LDMOS晶体管或所述第二LDMOS晶体管各自的源极连接至所述法兰。

3.根据权利要求2所述的封装的高功率射频RF放大器电路，其中，所述封装还包括漏极引线，所述差分放大器电路还包括第三组多个键合引线，所述第三组多个键合引线用于将所述第一LDMOS晶体管的漏极和所述第二LDMOS晶体管的漏极连接至相应的漏极引线。

4.根据权利要求3所述的封装的高功率射频RF放大器电路，其中，所述第一组多个键合引线横过所述半导体晶片沿第一方向延伸，并且其中，所述第三组多个键合引线平行于所述第一方向延伸。

5.根据前述任一权利要求所述的封装的高功率射频RF放大器电路，其特征在于，高电阻率衬底包括硅。

6.根据权利要求5所述的封装的高功率射频RF放大器电路，其特征在于，高电阻率衬底具有大于100Ω*cm的电阻率。

7.根据权利要求6所述的封装的高功率射频RF放大器电路，其特征在于，高电阻率衬底具有大于或等于1KΩ*cm的电阻率。

8.一种移动通信基站，其特征在于，包括根据权利要求1到7任一项所述的封装的高功率RF放大器电路。