[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
申请号: | 201410364139.4 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104900270B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 郑然周;朴石光;徐顺玉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C16/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
多个存储块,所述多个存储块中的每个包括多个存储器单元;
电路组,配置成对所述多个存储块之中的选中的存储块执行编程操作、读取操作和擦除操作;以及
控制电路,配置成:在对所述选中的存储块执行随后的编程操作之前,控制所述电路组来将所述选中的存储块的存储器单元编程在修复模式下,
其中,具有所述修复模式的所述存储器单元包括交替布置的擦除的存储器单元和编程的存储器单元,
其中在每个存储块中所述多个存储器单元以多个行和多个列布置,以及其中所述编程的存储器单元被布置在所述擦除的存储器单元中的每个擦除的存储器单元的顶侧、底侧、左侧和右侧。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述控制电路控制所述电路组来检查是否以预定时间间隔对所述选中的存储块执行刷新操作,以及基于检查结果将所述选中的存储块的存储器单元编程在所述修复模式下。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,所述控制电路控制所述电路组通过以所述预定时间间隔检查所述选中的存储块的刷新操作时间是否大于临界时间来执行所述刷新操作。
4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,当所述选中的存储块的所述刷新操作时间大于所述临界时间时,所述控制电路控制所述电路组来基于错误校正码ECC的使用情况来检查所述选中的存储块中是否出现错误,
其中,当所述ECC的使用情况小于临界量时,所述控制电路控制所述电路组来终止所述刷新操作,以及当所述ECC的使用情况大于所述临界量时,对所述选中的存储块执行替代操作。
5.如权利要求4所述的半导体器件,其中,在替代操作期间,所述控制电路控制所述电路组来:执行回拷操作以将数据从所述选中的存储块移动至另一个存储块,擦除所述选中的存储块,以及将所述选中的存储块的所述存储器单元编程在所述修复模式下。
6.如权利要求3所述的半导体器件,其中,对所述存储块执行的刷新操作之间的平均时间被设置为所述临界时间。
7.如权利要求1所述的半导体器件,其中,当输入针对所述选中的存储块的擦除命令信号时,所述控制电路控制所述电路组来擦除所述选中的存储块以及将所述选中的存储块的所述存储器单元编程在所述修复模式下。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其中,当输入针对被编程在所述修复模式下的所述选中的存储块的编程命令信号时,所述控制电路控制所述电路组来擦除所述选中的存储块以及对所述选中的存储块执行所述编程操作。
9.如权利要求1所述的半导体器件,其中,使用被编程至所述多个存储器单元的数据之中的与最高阈值电压分布相对应的临时数据对处于所述修复模式的编程的存储器单元进行编程。
10.如权利要求1所述的半导体器件,其中,随着所述选中的存储块的擦除/写入E/W循环数量的增加,每当所述选中的存储块的所述存储器单元被编程在所述修复模式下时,所述控制电路控制所述电路组来将所述擦除的存储器单元和所述编程的存储器单元的位置彼此交换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410364139.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种核电厂放射性废液处理系统
- 下一篇:半导体存储装置及其冗余方法