[发明专利]基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体

权利要求书

1.一种基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述的光子晶体结构包括高折射率介质柱和低折射率背景介质柱，所述的高折射率介质柱由位于十字方向放置的平板介质柱十字连杆连接圆介质柱组成；所述的光子晶体结构由所述元胞按正方晶格排列构成；所述正方晶格的晶格常数为a；所述平板介质柱的宽度D为0.0558a，圆柱的半径R为0.31392a，对应最大绝对禁带的相对值为17.26755％。

2.按照权利要求1所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述高折射率介质为硅、砷化镓、二氧化钛或折射率大于2的介质。

3.按照权利要求2所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述高折射率介质为硅，其折射率为3.4。

4.按照权利要求1所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述低折射率背景介质为空气、真空、氟化镁、二氧化硅或折射率小于1.6的介质。

5.按照权利要求4所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述低折射率介质为空气。

6.按照权利要求1所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述元胞的左平板连接杆的最左端到右平板连接杆的最右端的距离为a。

7.按照权利要求1所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述元胞的下平板连接杆的最底端到上平板连接杆的最顶端的距离为a。

8.按照权利要求1所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述平板介质柱的宽度为0.055a≤D≤0.059a，所述圆柱的半径为0.306a≤R≤0.324a，高折射率材料为硅，低折射率介质为空气，所述光子晶体结构的绝对禁带相对值大于16.6％。

9.按照权利要求1所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述平板介质柱的宽度为0.055a≤D≤0.059a，所述圆柱的半径为0.3078a≤R≤0.3231a，高折射率材料为硅，低折射率介质为空气，所述光子晶体结构的绝对禁带相对值大于16.8％。

10.按照权利要求1所述的基于十字连杆柱和圆柱的大绝对禁带正方晶格光子晶体，其特征在于，所述平板介质柱的宽度为0.055a≤D≤0.059a，所述圆柱的半径为0.3096a≤R≤0.3186a，高折射率材料为硅，低折射率介质为空气，所述光子晶体结构的绝对禁带相对值大于17％。