[发明专利]发光二极管光源及其制造方法、具有其的背光源在审

专利信息
申请号: 201410364763.4 申请日: 2010-09-27
公开(公告)号: CN104154463A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 孙海威;刘佳;蔡斯特 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: F21S8/00 分类号: F21S8/00;F21V19/00;F21V5/02;G02F1/13357;F21Y101/02
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 光源 及其 制造 方法 具有 背光源
【说明书】:

本申请要求于2010年09月27日提交中国专利局、申请号为201010294536.0、发明名称为“发光二极管光源及其制造方法、具有其的背光源”的中国专利申请的分案申请,其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及液晶显示装置背光源的技术领域,尤其涉及发光二极管光源及其制造方法、具其的背光源。

背景技术

发光二极管(LED)光源因其耗电低、寿命长、相应速度快等优点获得了越来越广泛的应用。例如,在液晶显示装置的发光二极管背光源中,如图1所示,在导光板11一边有多个位于电路板12上的发光二极管光源13,每个发光二极管光源13主要照射导光板11边上的一段距离。其中,每个发光二极管光源13如图2、图3所示,包括出光杯16,出光杯16底部设有发光二极管发光芯片15,出光杯16中有用于将发光二极管发光芯片15封装起来的长形的封装件14,该封装件14通常为环氧树脂,其中还可掺杂有不同颜色的荧光颗粒,用于将发光二极管发光芯片15发出的单色光混合为白光。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:如图3所示,由于封装件14的折射率高于空气,故从发光二极管发光芯片15发出的光9从封装件14的上表面出射时会向两侧分散,且越靠侧部的光9分散程度越大;同时,由于反射率随着入射角的增大而增大,因此越靠侧部(即入射角越大)的光9被反射回封装件14内的比例就越大,出射的比例就越小,直到入射角大于临界角时,光9被全部反射;另外,从侧部出射的光9的光程长,能量损失较大。由于上述原因,从封装件14上表面发出的光9的相对强度如图4所示,随出光角(指从封装件14射出的光线与竖直方向的夹角)的增大而减小,即发光二极管光源13发出的光9中间强度高而两侧强度低,均匀性差;从而还会导致背光源的发光均匀性差(虽然导光板11上对应发光二极管光源13侧部的位置同时受到两个发光二极管光源13的照射,但如图4所示,在出射角为60度时相对光强已降低到0.4,即使叠加也不能达中部的光强)。

发明内容

本发明的实施例提供一种发光二极管光源,其发光均匀性好。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一种发光二极管光源,包括发光二极管发光芯片,以及:

光均匀结构,位于高于所述发光二极管发光芯片的位置处;

所述光均匀结构包括:

两个分别位于所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部的光均匀面;所述光均匀面从中部向沿所述发光二极管光源长度方向的侧部倾斜向下地延伸。

由于本发明的实施例的发光二极管光源上具有光均匀结构,因此其发光均匀性好。

本发明的实施例还提供一种背光源,其发光均匀性好。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一种背光源,包括光源,所述光源包括至少一个上述的发光二极管光源。

由于本发明的实施例的背光源中具有上述的发光二极管光源,因此其发光均匀性好。

本发明的实施例还提供一种制造发光二极管光源的方法,其所制造的发光二极管光源发光均匀性好。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一种制造发光二极管光源的方法,包括:

固定发光二极管发光芯片;

用封装材料封装所述发光二极管发光芯片;

在高于所述发光二极管发光芯片的位置处形成光均匀结构;

所述光均匀结构包括:

两个分别位于所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部的光均匀面;所述光均匀面从中部向沿所述发光二极管光源长度方向的侧部倾斜向下地延伸。

由于本发明的实施例的制造发光二极管光源的方法中包括制造上述光均匀结构的步骤,因此其所制的发光二极管光源发光均匀性好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有的背光源的结构式意图;

图2为现有的发光二极管光源的结构式意图;

图3为现有的发光二极管光源的剖面结构式意图;

图4为现有的发光二极管光源的出光角与相对光强的关系曲线;

图5为本发明实施例一的发光二极管光源的结构式意图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410364763.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top