[发明专利]影像感测器用的晶圆积层体的分断方法及分断装置有效
申请号: | 201410364813.9 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104517826B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 上村刚博 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B28D5/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 分断 硅晶圆 积层体 按压 影像感测 刻划线 分断预定线 分断装置 玻璃 光电二极管形成区域 按压构件 方式配置 刻划轮 切割锯 树脂层 干式 挠曲 刃体 贴合 刀具 转动 钻石 包围 移动 | ||
1.一种影像感测器用的晶圆积层体的分断方法,该影像感测器用的晶圆积层体,具有将玻璃晶圆与纵横地图案化形成有多个光电二极管形成区域的硅晶圆,透过以包围该各光电二极管形成区域的方式配置的树脂层贴合而成的构造;其特征在于其具有:
玻璃刻划步骤,使沿着圆周棱线形成具有既定的刃前端角度的刃前端的玻璃用刻划轮,沿着该玻璃晶圆的外表面的分断预定线一边进行按压一边转动,借此于玻璃晶圆的外表面形成刻划线;及
硅刻划步骤,使于前端具有钻石的突状的刃前端的钻石刃刀具、或形成有沿圆周棱线的刃前端角度小于该玻璃用刻划轮的刃前端的硅晶圆刻划轮,沿该硅晶圆的外表面的分断预定线一边进行按压一边移动或转动,借此于硅晶圆的外表面形成刻划线;
在该玻璃刻划步骤及硅刻划步骤之后,具有:
分断步骤,借由从该硅晶圆的外表面侧、或玻璃晶圆的外表面侧沿该刻划线以按压构件按压,使该晶圆积层体挠曲而将玻璃晶圆及硅晶圆沿各个刻划线同时分断。
2.如权利要求1所述的影像感测器用的晶圆积层体的分断方法,其特征在于其中,该影像感测器,是于该晶圆积层体形成有直通硅晶穿孔(TSV)的CMOS影像感测器。
3.一种影像感测器用的晶圆积层体的分断装置,该影像感测器用的晶圆积层体,具有将玻璃晶圆与纵横地图案化形成有多个光电二极管形成区域的硅晶圆,透过以包围该各光电二极管形成区域的方式配置的树脂层贴合而成的构造;其特征在于其具备有:
玻璃用刻划轮,沿着由环体构成的圆周棱线具有既定的刃前端角度,借由沿着该玻璃晶圆的外表面的分断预定线一边进行按压一边转动,而于该玻璃晶圆的外表面形成刻划线;
钻石刃刀具或硅用刻划轮的任一者,其中,该钻石刃刀具,于前端部形成钻石的突状的刃前端,借由沿着该硅晶圆的外表面的分断预定线一边进行按压一边移动,而于硅晶圆的外表面形成刻划线;该硅用刻划轮,沿圆周棱线的刃前端角度小于该玻璃用刻划轮,借由沿着该硅晶圆的外表面的分断预定线一边进行按压一边转动,而于硅晶圆的外表面形成刻划线;以及
按压构件,借由从该硅晶圆的外表面侧、或该玻璃晶圆的外表面侧沿该刻划线进行按压,使该晶圆积层体挠曲而将该玻璃晶圆及硅晶圆沿该各个刻划线同时分断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造