[发明专利]一种硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410364933.9 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104112787A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 王敏;陈冲;李洪伟;何舟;刘振樊 | 申请(专利权)人: | 武汉鑫神光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硫化 矿体 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池,其特征在于,包括ITO基底层、位于所述ITO基底层上的CuInS2层、位于所述CuInS2层上的纳米氧化铝-硫化银-钙钛矿复合层、以及位于所述纳米氧化铝-硫化银-钙钛矿复合层上的银层。
2.根据权利要求1所述的硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池,其特征在于:所述CuInS2层的厚度为100nm~500nm。
3.根据权利要求1所述的硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池,其特征在于:所述纳米氧化铝-硫化银-钙钛矿复合层的厚度为200nm~600nm,其制备方法为:
1)在所述CuInS2层上旋涂纳米氧化铝的异丙醇分散液;
2)在所述纳米氧化铝层上滴涂硫化银与钙钛矿的前驱体混合溶液,滴涂的量为5~10uL/cm2,然后在90~120℃条件下退火5~30min,其中,所述硫化银与钙钛矿前驱体混合溶液制备方法为:
将物质的量之比为1:1的硝酸银与硫脲加入到钙钛矿的前驱体溶液中形成均质溶液,其中,所述均质溶液中银的物质的量的浓度为0.2~0.4mmol/L,所述钙钛矿的前驱体溶液为质量百分含量为40%的CH3NH3PbI3的N,N-二甲基甲酰胺溶液。
4.一种硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括下列步骤:
1)在清洁的ITO基底上旋涂CuInS2前驱体溶液,转速为3000~5000rpm,旋涂时间为20~40秒,旋涂之后,先在150℃条件下退火10min,然后再在200℃条件下退火20min,得到ITO/CuInS2层;
2)在步骤1)得到的ITO/CuInS2层上旋涂纳米氧化铝的异丙醇分散液,转速为2000~4000rpm,旋涂时间为20~40秒,然后在120~180℃条件下退火20min,得到ITO/CuInS2/氧化铝层;
3)在步骤2)得到的ITO/CuInS2/氧化铝层上滴涂硫化银与钙钛矿的前驱体混合溶液,滴涂的量为5~10uL/cm2,然后在90~120℃条件下退火5~30min,得到ITO/CuInS2/氧化铝+硫化银+钙钛矿层;
4)在步骤3)得到的ITO/CuInS2/氧化铝+硫化银+钙钛矿层上用丝网印刷的方法刷涂一层银浆,在80~120度下使之固化,得到ITO/CuInS2/氧化铝+硫化银+钙钛矿层/Ag太阳能电池。
5.根据权利要求4所述的硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中的所述CuInS2前驱体溶液的制备方法为:将物质的量的比为1:5:5:62.5的醋酸铟、硫脲、丙酸以及丁胺混合均匀,形成透明无沉淀的溶液,然后将与醋酸铟物质的量相等的碘化亚铜加入到所述透明无沉淀的溶液,进行超声分散,得到均质的CuInS2前驱体溶液。
6.根据权利要求4所述的硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中的所述纳米氧化铝的异丙醇分散液的固含量为20wt%,氧化铝的粒径小于30nm。
7.根据权利要求4所述的硫化银/钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中的所述的硫化银与钙钛矿前驱体混合溶液制备方法为:将物质的量之比为1:1的硝酸银与硫脲加入到钙钛矿的前驱体溶液中形成均质溶液,其中,所述均质溶液中银的物质的量的浓度为0.2~0.4mmol/L,所述钙钛矿的前驱体溶液为质量百分含量为40%的CH3NH3PbI3的N,N-二甲基甲酰胺溶液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉鑫神光电科技有限公司,未经武汉鑫神光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410364933.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:插片装置
- 下一篇:一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的