[发明专利]芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法

权利要求书

1.一种芯片集成模块，其特征在于：包括管芯、无源器件及连接件，所述管芯设有管芯结合部，所述无源器件设有无源器件结合部，所述管芯的管芯结合部及无源器件的无源器件结合部相对设置，所述连接件设置于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间并连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部，所述连接件包括第一连接元件及第二连接元件，所述第一连接元件连接于所述管芯的管芯结合部，所述第二连接元件连接于所述无源器件的无源器件结合部，且所述第一连接元件与所述第二连接元件相互连接，所述管芯设有管芯表面，所述管芯结合部设有管芯结合表面，所述管芯结合表面相对于所述管芯表面内凹，所述无源器件设有无源器件表面，所述无源器件结合部设有无源器件结合表面，所述无源器件结合表面相对于所述无源器件表面外凸。

2.如权利要求1所述的芯片集成模块，其特征在于：所述管芯的管芯结合部与所述无源器件的无源器件结合部采用金属制成。

3.如权利要求2所述的芯片集成模块，其特征在于：所述连接件采用金、银、铜、钛、镍、铝中的任意一种、或其中任意两种或两种以上的上述金属的合金制成。

4.如权利要求3所述的芯片集成模块，其特征在于：所述连接件采用超声焊接或热压合连接于所述管芯结合部与无源器件结合部。

5.如权利要求1所述的芯片集成模块，其特征在于：所述无源器件采用集成无源器件或分立无源器件。

6.如权利要求1至5中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述管芯结合部采用溅射或化学气相沉积形成于所述管芯。

7.如权利要求1至5中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述无源器件结合部采用电镀、溅射或化学气相沉积形成于所述无源器件。

8.如权利要求1至5中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述连接件表面设有保护层，所述保护层至少覆盖所述连接件的部分表面。

9.如权利要求8所述的芯片集成模块，其特征在于：所述保护层采用金、锡、铜、镍、钯或其中任意两者或两者以上的上述金属的合金制成。

10.如权利要求9所述的芯片集成模块，其特征在于：所述保护层含有有机可焊性防腐剂。

11.如权利要求1所述的芯片集成模块，其特征在于：所述管芯与无源器件之间设有间隙，所述管芯与无源器件之间的间隙中填充有填充材料。

12.如权利要求11所述的芯片集成模块，其特征在于：所述填充材料采用填充胶。

13.一种芯片封装结构，其特征在于：包括衬底及如权利要求1至12中任一项所述的芯片集成模块，所述芯片集成模块设置于所述衬底之上。