[发明专利]半导体器件和用于进行训练操作的半导体系统有效
申请号: | 201410367088.0 | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN104916307B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 高福林 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C8/06 | 分类号: | G11C8/06;G11C8/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标志信号 缓冲器 标志信号发生器 参考电压发生器 响应 半导体器件 参考电压 半导体系统 电压电平 内部信号 训练操作 校验码 信息码 缓冲 外部 | ||
1.一种半导体器件,包括:
标志信号发生器,适于响应于内部命令和从外部信号中提取的信息码而产生标志信号;
参考电压发生器,适于响应于所述标志信号而接收设定码,且产生具有根据所述设定码来调节的电压电平的参考电压;以及
第一缓冲器,适于响应于所述参考电压而对所述外部信号进行缓冲以产生内部信号以及响应于所述标志信号而产生校验码。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述外部信号包括外部命令信号和外部地址信号中的至少一种。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述设定码从控制器输入。
4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,所述校验码被输出至所述控制器。
5.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:
第二缓冲器,适于对时钟和芯片选择信号进行缓冲以产生内部时钟和内部芯片选择信号。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述第一缓冲器包括:
第一锁存器,适于响应于所述标志信号而锁存所述内部芯片选择信号以产生内部锁存信号;以及
第二锁存器,适于响应于所述内部锁存信号而产生所述校验码。
7.如权利要求6所述的半导体器件,其中,所述第二锁存器包括:
传输单元,适于响应于所述内部锁存信号而将所述内部信号输出至输出节点;以及
初始化单元,适于响应于上电信号而将所述输出节点初始化。
8.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:
训练控制信号发生器,适于响应于所述标志信号和时钟使能信号而产生训练控制信号。
9.如权利要求8所述的半导体器件,还包括:
码输入单元,适于响应于所述训练控制信号而接收第一数据作为所述设定码,其中,当所述标志信号和所述训练控制信号被使能时,所述参考电压发生器通过所述设定码来调节所述参考电压的电压电平。
10.一种半导体系统,包括:
控制器,适于传输外部信号和第一数据以及接收第二数据;以及
半导体器件,适于响应于所述外部信号而产生标志信号、响应于所述标志信号而接收所述第一数据作为设定码以调节参考电压的电压电平、响应于所述参考电压而对所述外部信号进行缓冲以产生内部信号、响应于所述标志信号而从所述内部信号中产生校验码、以及将所述校验码输出作为所述第二数据。
11.如权利要求10所述的半导体系统,其中,所述半导体器件包括:
标志信号发生器,适于响应于内部命令和从所述外部信号中提取的信息码而产生所述标志信号;
参考电压发生器,适于响应于所述标志信号而接收所述设定码,以及产生具有根据所述设定码来调节的电压电平的所述参考电压;以及
第一缓冲器,适于响应于所述参考电压而对所述外部信号进行缓冲以产生所述内部信号以及响应于所述标志信号而从所述内部信号中产生所述校验码。
12.如权利要求11所述的半导体系统,还包括:
第二缓冲器,适于对时钟和芯片选择信号进行缓冲以产生内部时钟和内部芯片选择信号。
13.如权利要求12所述的半导体系统,其中,所述第一缓冲器包括:
第一锁存器,适于根据所述标志信号来锁存所述内部芯片选择信号以产生内部锁存信号;以及
第二锁存器,适于响应于所述内部锁存信号而产生所述校验码。
14.如权利要求13所述的半导体系统,其中,所述第二锁存器包括:
传输单元,适于根据所述内部锁存信号将所述内部信号输出至输出节点;以及
初始化单元,适于响应于上电信号而将所述输出节点初始化。
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