[发明专利]接触插塞的形成方法

权利要求书

1.一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括接触孔区和无接触孔区；

在所述接触孔区形成至少一个第一MOS晶体管，在所述无接触孔区形成至少一个第二MOS晶体管；

在所述半导体衬底、第一MOS晶体管和第二MOS晶体管上形成介质层；

在所述无接触孔区的介质层内形成至少一个牺牲开口，所述牺牲开口位于所述第二MOS晶体管区域的上方；

在所述接触孔区的介质层内形成至少一个接触孔，所述接触孔的底部分别露出第一MOS晶体管中的源极、漏极和栅极结构的至少其中一个；

采用导电层填充满所述牺牲开口和所述接触孔，分别形成牺牲插塞和接触插塞；

采用化学机械研磨方法，去除所述介质层上的导电层、所述牺牲插塞、部分厚度的介质层及部分接触插塞，使剩余厚度的介质层顶部与接触插塞顶部齐平。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲开口位于所述第二MOS晶体管区域的上方包括：所述牺牲开口位于所述第二MOS晶体管的源极、漏极和栅极结构的至少其中一个的上方。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述无接触孔区的介质层上形成至少一个牺牲开口的方法包括：

在所述介质层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有贯穿其厚度的至少一个第一开口；

沿所述第一开口刻蚀所述介质层，在所述介质层上形成至少一个牺牲开口；形成所述牺牲开口后，去除所述第一掩膜层。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层为底层是底部抗反射层，顶层是光刻胶的双层结构。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层为多层结构，从所述介质层向上方向依次为先进图形膜层、介质抗反射层、底部抗反射层和光刻胶层。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲开口的个数与所述接触孔区内接触孔的个数相同。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲开口在第二MOS晶体管上方的位置与所述接触孔在第一MOS晶体管中的位置一一对应。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述无接触孔区的介质层上形成至少一个牺牲开口，之后，在所述接触孔区的介质层上形成至少一个接触孔。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在所述接触孔区的介质层上形成至少一个接触孔的方法包括：

采用填充层填充满所述牺牲开口，并且所述填充层高于介质层；

在所述填充层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内具有贯穿其厚度的至少一个第二开口；

沿所述第二开口刻蚀所述填充层和介质层，在所述填充层和介质层内形成至少一个所述接触孔；

形成至少一个所述接触孔后，去除所述第二掩膜层和所述填充层。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述填充层包括底部抗反射涂层、有机绝缘涂层或有机图形涂层。

11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层为底层是介质抗反射层，顶层是光刻胶的叠层结构。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为金属。