[发明专利]一种改善石墨烯纳米器件自旋过滤效应的方法无效
| 申请号： | 201410369166.0 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104157785A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 唐贵平;黄雅婧 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G11C11/16;C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 410015 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 石墨 纳米 器件 自旋 过滤 效应 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善石墨烯纳米器件自旋过滤效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在Ni(111)基板表面上生长石墨烯，当晶格失配时沿位错线就形成一维拓扑结构的558线缺陷；
2)利用电子束刻蚀技术，将石墨烯裁剪成1.5nm宽的条带，并使558线缺陷位于条带的中间位置；
3)沿条带的长度方向在条带的左端和右端分别连接上电极，可以在条带上改变偏压的大小；
4)沿条带的宽度方向加上两个复合栅电极，形成一个垂直于长度方向并在带平面内的外部横向电场，电场强度可通过两个栅电极的电压来调控；
5)测量该系统在不同偏压和不同电场强度下的自旋电流及自旋过滤效率。
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