[发明专利]反应腔室的清洗方法有效
| 申请号： | 201410369481.3 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336643B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王京;谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种反应腔室的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
对所述反应腔室进行干法清洗，并随着清洗时间的增加，按预定规则调节所述反应腔室的腔室压强，以使其自预设的最高压强值下降至最低压强值；
所述预定规则为：按线性函数的关系下降所述腔室压强；随着清洗时间的增加，所述腔室压强变化遵循以下公式自预设的最高压强值下降至最低压强值：
其中，t1为当前清洗时长；P1为当前清洗时长t1的腔室压强；t为总清洗时长。
2.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述最高压强值为80mT。
3.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述最低压强值为5mT。
4.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述干法清洗所采用的清洗气体包括氧气。
5.如权利要求4所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述氧气的流量的取值范围在100～200sccm。
6.如权利要求5所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述氧气的流量为200sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
