[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410369694.6 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104167440B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;袁嵩;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 algan gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括半绝缘衬底、缓冲层、GaN层、AlGaN层、源极、栅极以及漏极，AlGaN与GaN界面处形成很薄的2DEG；源极和漏极均通过欧姆接触与GaN层、AlGaN层相连；其特征在于：
所述GaN层在靠近电极一侧有一部分区域为P型掺杂GaN，对应于自源极至部分栅极所覆盖的区域，P型掺杂GaN与2DEG为直接接触，满足在栅压为零时P型掺杂GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使器件关断，在栅极加电正压时遂穿导通。
2.如权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述栅极通过肖特基接触与所述AlGaN层相连。
3.如权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述半绝缘衬底的材料为硅或碳化硅，或所述半绝缘衬底替换为蓝宝石衬底。
4.如权利要求1所述的增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述GaN层具有N型电阻特性或半绝缘特性。
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