[发明专利]一种晶片流片方法有效
| 申请号： | 201410370209.7 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448648B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;谢春诚;刘蓬 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片流片方法，其特征在于，具体包括：
对晶片进行正面处理工艺，在所述正面处理工艺过程中制作划片槽；在所述晶片完成所述正面处理工艺之后，将所述划片槽刻蚀；对所述晶片进行背面的工艺；
其中，所述正面处理工艺为在衬底上的外延层上生长氧化物、氮化物及淀积金属层；所述划片槽最多刻蚀至衬底表面且最少刻蚀至衬底的外延层内。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底；所述外延层为氮化镓基外延层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述划片槽包括横向划片槽和纵向划片槽。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述划片槽刻蚀，具体包括：
通过干法刻蚀将所述划片槽刻蚀。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀是指等离子体刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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