[发明专利]开关电路装置和用于向驱动器电路提供电力的方法有效
申请号: | 201410370281.X | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN104348339B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | B·佐杰 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电路 装置 用于 驱动器 电路 提供 电力 方法 | ||
1.一种开关电路装置,包括:
开关电路;
驱动器电路,所述驱动器电路被配置成控制所述开关电路;以及
供电电路,所述供电电路被配置成向所述驱动器电路提供电力,其中所述供电电路包括第一电路,所述第一电路被配置成将所述供电电路的输出阻抗修改成:当所述驱动器电路将所述开关电路控制成处于导通状态时具有第一阻抗;并且当所述驱动器电路将所述开关电路控制成从非导通状态变成所述导通状态时具有第二阻抗。
2.根据权利要求1所述的开关电路装置,
其中所述第一阻抗大于所述第二阻抗。
3.根据权利要求2所述的开关电路装置,
其中所述第一阻抗是所述第二阻抗的100至1000倍大。
4.根据权利要求1所述的开关电路装置,
其中所述第一电路包括被配置成限制处于所述导通状态时的电流的电阻。
5.根据权利要求1所述的开关电路装置,
其中所述第一电路包括频变元件,所述频变元件被配置成当从所述非导通状态变成所述导通状态时提供低阻抗,并且被配置成在所述导通状态期间具有高阻抗。
6.根据权利要求5所述的开关电路装置,
其中所述频变元件和电阻器被配置为并联连接。
7.根据权利要求6所述的开关电路装置,
其中所述并联连接的时间常数的倒数小于所述开关电路装置的开关频率的两PI倍,例如小于所述开关电路装置的所述开关频率的两PI倍的十分之一。
8.根据权利要求7所述的开关电路装置,
其中所述供电电路包括电压源,所述电压源被配置成具有比所述开关电路的对于预定控制电流而言的最高控制电压高例如0.5V至2.0V的电压。
9.根据权利要求8所述的开关电路装置,
其中所述电阻器的电阻通过将所述电压源的电压与所述最高控制电压的差除以平均控制电流来给出。
10.根据权利要求8所述的开关电路装置,
其中所述平均控制电流通过将所述开关电路置成所述导通状态所需的电荷和所述开关电路装置的所述开关频率的乘积与上述预定电流求和来给出。
11.根据权利要求1所述的开关电路装置,
其中所述开关电路包括至少一个功率晶体管,并且其中所述驱动器电路被配置成将控制信号提供至所述至少一个功率晶体管的控制输入。
12.根据权利要求11所述的开关电路装置,
其中所述至少一个功率晶体管具有非隔离控制输入。
13.根据权利要求11所述的开关电路装置,
其中所述至少一个功率晶体管具有二极管状电流-电压控制输入特性。
14.根据权利要求11所述的开关电路装置,
其中所述至少一个功率晶体管被配置成在所述导通状态期间吸取电流。
15.根据权利要求11所述的开关电路装置,
其中所述至少一个功率晶体管是以下项中的一项:
结型场效应晶体管(JFET),例如使用诸如例如碳化硅(SiC)之类的宽带隙材料的结型场效应晶体管;以及
高电子迁移率晶体管(HEMT),例如使用诸如例如氮化镓(GaN)之类的宽带隙材料的高电子迁移率晶体管。
16.根据权利要求1所述的开关电路装置,
其中所述开关电路被配置为半桥电路,并且所述驱动器电路被配置成提供开关控制信号以控制所述半桥电路。
17.根据权利要求1所述的开关电路装置,
其中所述驱动器电路和所述开关电路被容纳在共用封装内。
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