[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括下部衬底、形成于所述下部衬底上的包括MEMS器件和电感的前端器件以及与所述下部衬底键合并与所述下部衬底共同形成用于容置所述前端器件的空腔的上部衬底，还包括设置于所述上部衬底的朝向所述前端器件的表面的部分区域的吸附层，其中所述吸附层与所述电感在竖直方向上不存在重叠。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述吸附层的朝向所述空腔的表面为具有凸起的粗糙表面。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述上部衬底的朝向所述前端器件的一侧形成有作为所述空腔的一部分的沟槽，所述吸附层设置于所述沟槽的底面和/或侧壁上。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述吸附层的材料包括钛。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述前端器件还包括ASIC器件。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供用于与形成有包括MEMS器件和电感的前端器件的下部衬底键合的上部衬底，通过刻蚀在所述上部衬底内形成与所述前端器件的位置相对应的沟槽；

步骤S102：形成位于所述沟槽的内壁的部分区域的吸附层；

步骤S103：将所述上部衬底与所述下部衬底键合以形成用于容置所述前端器件的空腔，其中所述吸附层与所述电感在竖直方向上不存在重叠。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述吸附层的表面为具有凸起的粗糙表面。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括如下步骤：

步骤S1021：形成覆盖所述沟槽的底部与侧壁的吸附材料层；

步骤S1022：对所述吸附材料层进行表面粗糙化处理；

步骤S1023：对所述吸附材料层进行刻蚀以形成位于所述沟槽的内壁的部分区域的吸附层。

9.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与所述步骤S103之间还包括步骤S1023：对所述上部衬底进行预清洗。

10.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述吸附层的材料包括钛。

11.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所提供的所述上部衬底的上表面形成有硬掩膜层和位于其上的键合材料层，并且所述步骤S101包括如下步骤：

步骤S1011：提供所述上部衬底，在所述键合材料层上形成覆盖拟形成的沟槽的侧壁区域且在所述拟形成的沟槽的上方具有开口的第一掩膜，对所述键合材料层进行刻蚀以去除所述键合材料层未被所述第一掩膜覆盖的部分，去除所述第一掩膜；

步骤S1012：形成覆盖所述键合材料层位于所述拟形成的沟槽的侧壁区域的部分的顶部与侧壁且在拟形成的沟槽的上方具有开口的第二掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀以去除所述硬掩膜层未被所述第二掩膜覆盖的部分；

步骤S1013：对所述上部衬底进行刻蚀以形成所述沟槽。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括如下步骤：

步骤S1021’：形成覆盖所述第二掩膜和所述沟槽的吸附材料层；

步骤S1022’：通过剥离工艺去除所述第二掩膜以及所述吸附材料层覆盖所述第二掩膜的部分；

步骤S1023’：形成在所述沟槽的与所述电感对应的区域的上方具有开口的第三掩膜，对所述吸附材料层的剩余部分进行刻蚀以形成位于所述沟槽的内壁的部分区域的吸附层，去除所述第三掩膜。