[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201410370983.8 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104091869B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡弃疾;苗振林;汪延明 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
电流扩展层；
外延层，位于所述电流扩展层之下；
图形化蓝宝石衬底，位于所述外延层之下，其中所述图形化蓝宝石衬底具有上表面和下表面，所述上表面靠近所述外延层；以及
分布式布拉格反射层，覆盖所述图形化蓝宝石衬底的所述下表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述图形化蓝宝石衬底是通过感应耦合等离子刻蚀方法对蓝宝石衬底进行刻蚀形成的。
3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述图形化蓝宝石衬底的图形为圆锥形。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述分布式布拉格反射层是通过真空镀膜技术在所述图形化蓝宝石衬底的所述下表面交替排列不同氧化物层所形成。
5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述不同氧化物层为二氧化硅层和二氧化钛层，共计20～40层。
6.一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于，包括：
提供蓝宝石衬底，其中所述蓝宝石衬底具有上表面和下表面；
在所述蓝宝石衬底的所述上表面上形成外延层；
在所述外延层之上形成电流扩展层；
对所述蓝宝石衬底的所述下表面进行刻蚀形成图形化蓝宝石衬底；以及
形成分布式布拉格反射层，用以覆盖所述图形化蓝宝石衬底的下表面。
7.如权利要求6所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，通过感应耦合等离子刻蚀方法对所述蓝宝石衬底进行刻蚀形成所述图形化蓝宝石衬底。
8.如权利要求6所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述图形化蓝宝石衬底的图形为圆锥形。
9.如权利要求8所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，通过真空镀膜技术在所述图形化蓝宝石衬底的所述下表面交替排列不同氧化物层形成所述分布式布拉格反射层。
10.如权利要求9所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述不同氧化物层为二氧化硅层和二氧化钛层，共计20～40层。
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