[发明专利]曝光辅助图形的优化方法有效
申请号: | 201410371051.5 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104090468B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 张月雨;毛智彪;张瑜 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 辅助 图形 优化 方法 | ||
1.一种曝光辅助图形的优化方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤S01,收集工艺窗口数据,建立工艺窗口光学邻近效应校正模型;
步骤S02,收集亚分辨辅助线条在工艺窗口内未被曝光出图形的参数安全范围;
步骤S03,按照光刻层次的图形特征,设计一组周期由100-2000nm,周期变化间隔为5-20nm的1维线或者2维孔的周期渐变测试图形;
步骤S04,对于该测试图形,采用基于简单规则和基于模型两种方式分别添加亚分辨辅助线条;
步骤S05,利用光学邻近效应校正结果检查程序计算出基于简单规则亚分辨辅助线条和基于模型亚分辨辅助线条的工艺波动带宽值,并将测试图形的周期划分为:按简单规则亚分辨辅助线条无法添加曝光辅助图形的周期区间A,以及简单规则亚分辨辅助线条添加的曝光辅助图形条数由N变为N+1条的多周期区间;
步骤S06,以基于模型亚分辨辅助线条的工艺波动带宽值作为参考标准,设定开始添加亚分辨辅助线条的周期,并对不同周期区间工艺波动带宽设定上限值;
步骤S07,分别优化各周期区间的曝光辅助图形亚分辨辅助线条参数;
步骤S071,判断各周期区间的工艺波动带宽值是否均低于该设定的上限值,若是,则进入步骤S08,若否,则重复步骤S07;
步骤S08,实现曝光辅助图形的规则优化。
2.根据权利要求1所述的曝光辅助图形的优化方法,其特征在于:步骤S02和S07中的亚分辨辅助线条参数包括曝光辅助图形的宽度、曝光辅助图形与主要图形的距离、曝光辅助图形相互之间的间距。
3.根据权利要求2所述的曝光辅助图形的优化方法,其特征在于:步骤S02中收集亚分辨辅助线条在工艺窗口内未被曝光出图形的参数安全范围作为步骤S07中亚分辨辅助线条参数优化的边界条件。
4.根据权利要求1所述的曝光辅助图形的优化方法,其特征在于:步骤S06中设定开始添加亚分辨辅助线条的周期为基于模型亚分辨辅助线条的工艺波动带宽最大值所在的周期,设定该周期区间A内工艺波动带宽上限值为基于模型亚分辨辅助线条的工艺波动带宽最大值,并设定其余周期的工艺波动带宽上限值为关键尺寸乘以10%。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备